МОП-транзисторы NextPower от NXP
NXP Semiconductors N.V. объявила о выпуске 15 новых устройств NextPower – 25-В и 30-В полевых МОП-транзисторов (MOSFET) в корпусе LFPAK собственной разработки. Новые дополнения к портфелю силовых МОП-транзисторов компании NXP отличаются сбалансированными характеристиками по шести важным для высокопроизводительных, высоконадежных коммутационных приложений параметрам и при этом имеют низкое сопротивление открытого канала RDS(on) – ниже 1 мОм как для 25-В, так и для 30-В версий.
В устройствах NextPower компания NXP вместо традиционных подходов, которые концентрируются в основном на снижении сопротивления RDS(on) и заряда затвора Qg, использует технологию суперперехода (superjunction), позволяющую добиться сбалансированного сочетания низкого сопротивления RDS(on) с низкими зарядами Qoss, Qg(tot) и Qgd, что обеспечивает отличные коммутационные характеристики и меньшие потери между выводами стока и истока, а также отличную область безопасной работы (SOA). К тому же корпус NXP LFPAK обеспечивает надежную коммутацию при небольших размерах посадочного места: 5x6 мм.
В устройствах NextPower компания NXP вместо традиционных подходов, которые концентрируются в основном на снижении сопротивления RDS(on) и заряда затвора Qg, использует технологию суперперехода (superjunction), позволяющую добиться сбалансированного сочетания низкого сопротивления RDS(on) с низкими зарядами Qoss, Qg(tot) и Qgd, что обеспечивает отличные коммутационные характеристики и меньшие потери между выводами стока и истока, а также отличную область безопасной работы (SOA). К тому же корпус NXP LFPAK обеспечивает надежную коммутацию при небольших размерах посадочного места: 5x6 мм.
