Intel и Micron создали первый в мире 20-нм 128 Гбит NAND-модуль
Разработанный совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies, IMFT), — это первый в индустрии монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов. Он удваивает емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.
Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.
Спрос на NAND-модули высокой емкости обусловлен тремя связанными между собой тенденциями: ростом цифровой вселенной, миграцией в "облако" и распространением портативных устройств. С ростом объемов цифрового контента пользователи рассчитывают, что их данные будут доступны на любых устройствах, синхронизируясь в "облаке". Для предоставления качественных сервисов центрам обработки данных необходимы системы хранения данных более высокой емкости и быстродействия. Именно такие и позволяет создавать NAND-память. В потребительском сегменте одним из примеров является воспроизведение HD-видео, требующее наличие большого свободного пространства. Новые разработки открывают дополнительные перспективы для создания высокопроизводительной, компактной памяти для мобильных потребительских устройств и "облачных" серверов.
Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству.
