Начато производство чипов памяти 4Gb LPDDR2 DRAM

С небольшой задержкой Samsung Electronics все же начала производство первых в отрасли чипов 4-гигабитной цельной памяти LPDDR2 DRAM сверхмалой мощности с использованием 30-нанометрового технологического процесса. Первоначально же планировалось, что производство подобных модулей начнется в январе 2011 года.

Новая память 4 Gb LPDDR2 DRAM обеспечивает скорость передачи данных до 1066 Мбит/с, что приближает ее по показателям производительности к памяти для компьютерных приложений. Это более чем в два раза (по подсчетам Samsung – на 60 процентов) превосходит производительность предыдущего 40-нанометрового поколения мобильной памяти DRAM – MDDR, которое обеспечивает скорость передачи данных от 333 Мбит/с до 400 Мбит/с. Также в новых разработках на целых 25% удалось снизить и показатель энергопотребления.

Благодаря новому чипу 4 Gb класса 30 нм компания Samsung сможет удовлетворить резко возросший спрос на решения памяти LPDDR2 высокой плотности. В первую очередь это обусловлено небывалым ростом рынка высокопроизводительных и функциональных смартфонов и планшетных ПК. Кроме того, планируется поставлять чипы памяти 16 Gb (2 Гбайт) LPDDR2 DRAM, объединяя в модуль четыре чипа по 4 Gb, по мере того как будут расти потребности в ресурсах.

Сергей Смирнов