Самый быстрый в мире графеновый транзистор
Исследователи IBM создали высокочастотный транзистор на основе графена, который работает на рекордной граничной частоте, когда-либо достигнутой графеновым полупроводниковым элементом – 100 млрд. рабочих циклов в секунду или 100 ГГц. Рекордный показатель тактовой частоты был достигнут при использовании эпитаксиального графенового элемента масштаба кристаллической пластины (wafer-scale), изготовленного посредством технологического процесса, который применяется в современном передовом производстве кремниевых полупроводниковых устройств.
В графеновом транзисторе используется архитектура с верхним расположением металлического затвора (metal top-gate) и новаторское решение изолирующего слоя затвора (gate insulator stack), содержащего полимер и оксид с высокой диэлектрической проницаемостью. Длина затвора, составившая умеренно малую величину в 240 нанометров, оставляет резерв для дальнейшей оптимизации производительности транзистора путем масштабирования (в сторону уменьшения) длины затвора.
Рабочая частота графенового элемента уже превышает граничную частоту современных кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора (~ 40 ГГц). Подобная производительность была достигнута у элементов на основе графена, полученных из природного графита.
IBM
В графеновом транзисторе используется архитектура с верхним расположением металлического затвора (metal top-gate) и новаторское решение изолирующего слоя затвора (gate insulator stack), содержащего полимер и оксид с высокой диэлектрической проницаемостью. Длина затвора, составившая умеренно малую величину в 240 нанометров, оставляет резерв для дальнейшей оптимизации производительности транзистора путем масштабирования (в сторону уменьшения) длины затвора.
Рабочая частота графенового элемента уже превышает граничную частоту современных кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора (~ 40 ГГц). Подобная производительность была достигнута у элементов на основе графена, полученных из природного графита.
IBM
