Intel и Micron представили технологию производства памяти NAND
Intel и Micron Technology сообщили о новой технологии производства NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных. Эта технология, названная 3bpc NAND, основана на 34-нанометровом процессе и предназначена для изготовления чипов памяти, которые применяются в устройствах хранения данных - картах памяти и твердотельных накопителях (SSD).
Новая технология была разработана и запущена в производство IM Flash Technologies (IMFT) - совместным предприятием Intel и Micron Technology. Благодаря возможности осуществлять запись в каждую ячейку NAND-памяти трех битов данных компаниям удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-гигабитных чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии микросхемы памяти являются самыми миниатюрными на рынке: они занимают площадь 126 кв.мм. В настоящее время Micron поставляет образцы новых микросхем для тестирования. Массовое производство намечено на IV квартал 2009 г. Разработка 3bpc NAND является важным этапом на пути стратегического развития отрасли, поскольку отвечает современным потребностям ключевых сегментов рынка и способствует прогрессу в области миниатюризации устройств.
Новая технология была разработана и запущена в производство IM Flash Technologies (IMFT) - совместным предприятием Intel и Micron Technology. Благодаря возможности осуществлять запись в каждую ячейку NAND-памяти трех битов данных компаниям удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-гигабитных чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии микросхемы памяти являются самыми миниатюрными на рынке: они занимают площадь 126 кв.мм. В настоящее время Micron поставляет образцы новых микросхем для тестирования. Массовое производство намечено на IV квартал 2009 г. Разработка 3bpc NAND является важным этапом на пути стратегического развития отрасли, поскольку отвечает современным потребностям ключевых сегментов рынка и способствует прогрессу в области миниатюризации устройств.
