Транзистор в корпусе Power S08 Package

NXP Semiconductors объявила о выпуске n-канального 25-вольтового полевого MOП-транзистора (MOSFET) PSMN1R2-25YL, обеспечивающего самое низкое значение RDSon (менее 1 мОм) и лучший в классе показатель Figure of Merit. Транзистор нового поколения, упакованный в корпус Power-SO8 (Loss Free package: LFPAK) является продолжением существующей линейки полевых MOП-транзисторов NXP. В транзисторе объединены высокая производительность корпуса Power-S08 LFPAK и новейшее ядро поколения Trench 6, обеспечивающие множество преимуществ производительности и надежности для поддержки широкого диапазона требовательных приложений, таких как power OR-ring, управление двигателями и высокоэффективные синхронные регуляторы напряжения.

Передовые полевые МОП-транзисторы NXP PSMN1R2–25YL, изготовленные с использованием процесса Trench 6, обеспечивают сопротивление RDSon 0,9 мОм для конфигураций со средним напряжением 25 В в корпусе Power-S08 (LFPAK), и 1,0 мОм (среднее напряжение) для конфигураций с напряжением 30 В.

В дополнение к объявлению полевого МОП-транзистора с самым низким в мире значением RDSon, NXP также представляет новую линейку продуктов для рынков источников питания, управления двигателями и промышленной электроники. Линейка продуктов обеспечивает рабочие напряжения 25, 30, 40 и 80 вольт и использует корпуса Power-S08 (LFPAK) и TO220.

Транзисторы PSMN1R2–25YL доступны по цене $0.80 (для партий в 1000 единиц).