Samsung о преимуществах 40-нанометровой технологии
Ожидается, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 г. компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных устройств DDR3.
Применение 40-нанометровой технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%. Более точное изготовление узлов микросхем DRAM к тому же позволит увеличить производительность примерно на 60% по сравнению с устройствами, изготовленными с применением 50-нанометровой технологии.
Кроме того, компания Samsung предполагает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.
Применение 40-нанометровой технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%. Более точное изготовление узлов микросхем DRAM к тому же позволит увеличить производительность примерно на 60% по сравнению с устройствами, изготовленными с применением 50-нанометровой технологии.
Кроме того, компания Samsung предполагает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.
