Революция в области записи информации
Исследователи из Университета Беркли разработали технологию, которая позволит создавать носители информации с беспрецедентной плотностью записи (порядка 1,7 терабита на квадратный сантиметр). В результате на диск диаметром три сантиметра можно будет уместить более 1400 Гб информации.
В качестве основного материала, с которым работали ученые, выступал так называемый блок-сополимер PS-b-PEO. Молекулы этого соединения образуются, если соединить несколько видов полимерных блоков различной химической природы. В данном случае это были блоки полистирола и полиэтиленоксида.
В тонких пленках PS-b-PEO происходит самоорганизация наноструктур, обусловленная различными химическими свойствами составляющих ее полимеров. В них образуется матрица из полиэтиленоксида, в которую на одинаковом расстоянии друг от друга помещены вертикальные "штыри" из полистирола. Если площадь пленки достаточно большая, то порядок в расстановке штырей нарушается. Это не позволяет использовать материал, например, для записи на него информации, поскольку с дефектных блоков данные невозможно будет считать. В новом исследовании ученым из Университета Беркли удалось сохранить порядок на всей площади пленки.
Сначала особым образом подготовленный блок-сополимер наносился тонкой пленкой на поверхность промышленного сапфира, полученную срезом не вдоль плоскостей связей кристаллической решетки. Далее кристалл нагревался до достаточно высокой температуры - примерно 1300-1500 градусов по Цельсию в течение 24 часов. Ученым хорошо известно, что в результате такой обработки на поверхности сапфира образуется множество параллельных гребней, расстояние между которыми примерно одинаково.
В результате подобного воздействия часть PS-b-PEO оказывалась в долинах между гребнями. Благодаря этому формирование полистироловых "штырей" происходило в разных долинах независимо друг от друга. Это позволило получить пленку большой площади без дефектов. Кроме этого, увеличение толщины покрова позволило сгладить следы от гребней сапфира на внешней поверхности материала.
Science
В качестве основного материала, с которым работали ученые, выступал так называемый блок-сополимер PS-b-PEO. Молекулы этого соединения образуются, если соединить несколько видов полимерных блоков различной химической природы. В данном случае это были блоки полистирола и полиэтиленоксида.
В тонких пленках PS-b-PEO происходит самоорганизация наноструктур, обусловленная различными химическими свойствами составляющих ее полимеров. В них образуется матрица из полиэтиленоксида, в которую на одинаковом расстоянии друг от друга помещены вертикальные "штыри" из полистирола. Если площадь пленки достаточно большая, то порядок в расстановке штырей нарушается. Это не позволяет использовать материал, например, для записи на него информации, поскольку с дефектных блоков данные невозможно будет считать. В новом исследовании ученым из Университета Беркли удалось сохранить порядок на всей площади пленки.
Сначала особым образом подготовленный блок-сополимер наносился тонкой пленкой на поверхность промышленного сапфира, полученную срезом не вдоль плоскостей связей кристаллической решетки. Далее кристалл нагревался до достаточно высокой температуры - примерно 1300-1500 градусов по Цельсию в течение 24 часов. Ученым хорошо известно, что в результате такой обработки на поверхности сапфира образуется множество параллельных гребней, расстояние между которыми примерно одинаково.
В результате подобного воздействия часть PS-b-PEO оказывалась в долинах между гребнями. Благодаря этому формирование полистироловых "штырей" происходило в разных долинах независимо друг от друга. Это позволило получить пленку большой площади без дефектов. Кроме этого, увеличение толщины покрова позволило сгладить следы от гребней сапфира на внешней поверхности материала.
Science
