SRAM на основе 22-нм техпроцесса
Компании IBM, Toshiba и AMD на выставке International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско представили первую в мире ячейку памяти SRAM, созданную с применением 22-нанометрового технологического процесса.
Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составляет 0, 128 квадратного микрометра, что практически вдвое меньше предыдущего рекордного показателя в 0, 274 квадратного микрометра. В то же время, площадь ячейки SRAM процессоров Intel, производимых на базе 45-нм техпроцесса, составляет 0, 346 квадратного микрометра.
В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, созданные по технологии high-k/metal gate. Последняя подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния, что позволяет уменьшить размер транзистора.
О том, когда начнется выпуск 22-нанометровой памяти, не сообщается. Вместо этого разработчики подчеркнули, что данная технология, позволит в перспективе уменьшить ее площадь до 0, 063 квадратного микрометра.
EE Times
Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составляет 0, 128 квадратного микрометра, что практически вдвое меньше предыдущего рекордного показателя в 0, 274 квадратного микрометра. В то же время, площадь ячейки SRAM процессоров Intel, производимых на базе 45-нм техпроцесса, составляет 0, 346 квадратного микрометра.
В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, созданные по технологии high-k/metal gate. Последняя подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния, что позволяет уменьшить размер транзистора.
О том, когда начнется выпуск 22-нанометровой памяти, не сообщается. Вместо этого разработчики подчеркнули, что данная технология, позволит в перспективе уменьшить ее площадь до 0, 063 квадратного микрометра.
EE Times
