34-нм флэш-память от Intel и Micron
Компании Intel и Micron начали массового производства многоуровневой флеш-памяти с соблюдением норм 34-нм техпроцесса, емкость ячейки которой составляет 32 Гб. Данная флэш-память предназначена для использования в портативной электронике, а также при создании SSD-накопителей.,Флэш-память на базе 34-нм техпроцесса будет выпускаться на совместном предприятии IM Flash Technologies.
Площадь чипов составит 172 квадратных миллиметра, а штамповаться они будут на 300-миллиметровых подложках. Intel и Micron рассчитывают, что к концу текущего года более половины модулей флэш-памяти на заводе IM Flash Technologies будет выпускаться по 34-нм технологии. При этом, уже к началу 2009 года планируется начать производство одноуровневой аналогичной памяти.
Micron
Площадь чипов составит 172 квадратных миллиметра, а штамповаться они будут на 300-миллиметровых подложках. Intel и Micron рассчитывают, что к концу текущего года более половины модулей флэш-памяти на заводе IM Flash Technologies будет выпускаться по 34-нм технологии. При этом, уже к началу 2009 года планируется начать производство одноуровневой аналогичной памяти.
Micron
