Chaintech анонсирует APOGEE GT DDR2 1150/1200 в наборе 4Гб

Компания Walton Chaintech представила новые модули памяти APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 в наборе 4 Гб (2х2 Гб). Данные модули производятся на основе восьмислойной печатной платы и выполнены в соответствии со стандартом качества JEDEC. По сравнению со стандартными модулями памяти DDR2 800, новые модули APOGEE GT DDR 1150 имеют пропускную способность 9.6 Гб/с, что практически на 50% выше, чем стандартные модули памяти DDR2 800, характеризующиеся 6.4 Гб/с.

С поддержкой двухканального режима работы и таймингами 5-5-5-15, APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 позиционируется компанией как элитная память с высочайшим уровнем производительности и скорости. Каждый модуль обладает красным радиатором с надписью Apogee GT, который способствует уменьшению высокой температуры в процессе разгона.
Модули памяти APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 построены на базе чипов 128Мх8 чипов номиналом до 4 Гб, способствующих более быстрой работе в процессе воспроизведения графики и трехмерных игр. Парная упаковка объемом 4 Гб гарантирует совместимость модулей при работе в двухканальном режиме и позволяет сохранить больше свободных слотов на материнской плате.

Walton Chaintech