Intel, Samsung Electronics и TSMC достигли соглашения
Корпорации Intel, Samsung Electronics и TSMC объявили о достижении соглашения о необходимости общеотраслевого сотрудничества с целью перехода, начиная с 2012 года, на большие по размеру, 450-мм подложки.
Изготовление микросхем с использованием подложек большего диаметра неизменно позволяет увеличить выпуск полупроводников с минимальными затратами. Общая площадь поверхности 450-мм подложки и количество печатных кристаллов ИС (например, отдельных компьютерных микросхем) более чем в 2 раза превышают соответствующие показатели для 350-мм подложек.
Подложки большего диаметра обеспечивают снижение себестоимости изготовления одной микросхемы. Кроме того, благодаря более эффективному использованию энергии, площади подложки и других ресурсов, подложки большего диаметра помогут снизить общее использование ресурсов, требующихся для изготовления одной микросхемы. К примеру, переход с 200-мм подложек на 300-мм позволил снизить общее количество вредных выбросов, вызывающих глобальное потепление, и потребление воды. С переходом на технологию 450-мм подложек ожидается дальнейшее снижение загрязнения окружающей среды.
Раньше миграция на подложки большего размера традиционно начиналась каждые 10 лет с момента последнего перехода. К примеру, переход отрасли на 300-мм подложки в 2001 году произошел спустя десятилетие с момента ввода в действие первых производственных мощностей на основе 200-мм подложек в 1991 году. Придерживаясь исторически сложившегося темпа развития отрасли, Intel, Samsung и TSMC считают 2012 год подходящим временем для начала перехода на 450-мм подложки. Принимая во внимание сложность интеграции всех компонентов для перехода на данный размер подложек, компании полагают, что согласованная оценка намеченного графика является критически важной для обеспечения общеотраслевой готовности.
Изготовление микросхем с использованием подложек большего диаметра неизменно позволяет увеличить выпуск полупроводников с минимальными затратами. Общая площадь поверхности 450-мм подложки и количество печатных кристаллов ИС (например, отдельных компьютерных микросхем) более чем в 2 раза превышают соответствующие показатели для 350-мм подложек.
Подложки большего диаметра обеспечивают снижение себестоимости изготовления одной микросхемы. Кроме того, благодаря более эффективному использованию энергии, площади подложки и других ресурсов, подложки большего диаметра помогут снизить общее использование ресурсов, требующихся для изготовления одной микросхемы. К примеру, переход с 200-мм подложек на 300-мм позволил снизить общее количество вредных выбросов, вызывающих глобальное потепление, и потребление воды. С переходом на технологию 450-мм подложек ожидается дальнейшее снижение загрязнения окружающей среды.
Раньше миграция на подложки большего размера традиционно начиналась каждые 10 лет с момента последнего перехода. К примеру, переход отрасли на 300-мм подложки в 2001 году произошел спустя десятилетие с момента ввода в действие первых производственных мощностей на основе 200-мм подложек в 1991 году. Придерживаясь исторически сложившегося темпа развития отрасли, Intel, Samsung и TSMC считают 2012 год подходящим временем для начала перехода на 450-мм подложки. Принимая во внимание сложность интеграции всех компонентов для перехода на данный размер подложек, компании полагают, что согласованная оценка намеченного графика является критически важной для обеспечения общеотраслевой готовности.
