Модули памяти Chaintech APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM

Модули памяти APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM спроектированы с 8-битной предвыборкой, все чипы упакованы с помощью технологии CSP (Chip Scale Package) или FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array), что гарантирует лучшие термические и электрические параметры памяти работы на сегодняшний день. Это гораздо более высокие характеристики по сравнению с 4 bit DDR II памятью. К тому же напряжение питания составляет всего 1.5 В, тогда как у DDR II оно 1,8 В, что практически на 17% сокращает расход энергии.

Новые модули памяти отличаются не только более высокими таймингами по сравнению с памятью DDR II, но и также новыми функциями, такими как CWD, power-saving reset, ZQ calibration, SRT и RASR. Все эти новые технологии, реализованные в модулях памяти DDR III, позволяют производить более эффективную запись/чтение данных и экономить больше энергии. Кроме того, память APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM построена на чипах только высшего качества, что гарантирует высокую производительность как при обычном использовании, так и при разгоне.

Walton Chaintech