Прототипы модулей памяти с фазовым переходом
Корпорация Intel и компания STMicroelectronics начали поставки опытных образцов будущей продукции на базе технологии памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory, PCM). Эти опытные образцы являются первыми рабочими микросхемами и будут переданы заказчикам для оценки и испытаний, чтобы ускорить внедрение новой технологии. В модуле памяти, получившем кодовое наименование Alverstone, используется новая технология PCM, которая обеспечивает высокое быстродействие при считывании и записи данных и позволяет сократить энергопотребление по сравнению с традиционной флэш-памятью.
Новая технология также допускает побитные операции, характерные для обычной оперативной памяти ПК. На прошлой неделе специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (International Solid States Circuits Conference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также продемонстрировали рабочий образец модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), изготовленный по технологии PCM. Переход от структуры памяти, предусматривающей один бит на ячейку, к MLC позволяет существенно повысить емкость памяти и уменьшить стоимость одного мегабайта.
Совместная исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 года. Уже в 2004 году на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006 году на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм производственного процесса. Производством модулей Alverstone и другой совместной продукции будет заниматься новая независимая полупроводниковая компания Numonyx, соглашение о создании которой в мае 2007 года подписали STMicroelectronics, Intel и Francisco Partners.
Основным направлением деятельности этой компании станет выпуск законченных решений для оснащения памятью различных бытовых и промышленных устройств, включая сотовые телефоны, MP3-плееры, цифровые камеры, компьютеры и другое высокотехнологичное оборудование. Все процедуры по созданию компании планируется завершить в первом квартале 2008 года.
Новая технология также допускает побитные операции, характерные для обычной оперативной памяти ПК. На прошлой неделе специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (International Solid States Circuits Conference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также продемонстрировали рабочий образец модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), изготовленный по технологии PCM. Переход от структуры памяти, предусматривающей один бит на ячейку, к MLC позволяет существенно повысить емкость памяти и уменьшить стоимость одного мегабайта.
Совместная исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 года. Уже в 2004 году на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006 году на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм производственного процесса. Производством модулей Alverstone и другой совместной продукции будет заниматься новая независимая полупроводниковая компания Numonyx, соглашение о создании которой в мае 2007 года подписали STMicroelectronics, Intel и Francisco Partners.
Основным направлением деятельности этой компании станет выпуск законченных решений для оснащения памятью различных бытовых и промышленных устройств, включая сотовые телефоны, MP3-плееры, цифровые камеры, компьютеры и другое высокотехнологичное оборудование. Все процедуры по созданию компании планируется завершить в первом квартале 2008 года.
