Принят новый стандарт памяти DDR3
Организация по стандартизации микросхем памяти JEDEC утвердила спецификации нового стандарта Double Data Rate 3, среди ключевых особенностей которого приводятся повышение производительности и уменьшение потребляемой мощности, по сравнению с модулями памяти предыдущих поколений (DDR1 и DDR2). Напряжение питания элементов памяти SDRAM DDR3 составляет 1,5 В, вместо 1,8 В у DDR1 и 2,5 В у DDR2. Тактовая частота шины передачи данных DDR3 вчетверо выше, чем у самих элементов памяти, а не вдвое, как у DDR2. Кроме того, память DDR3 имеет 8-битный буфер предварительной выборки, ширина которого у DDR2 составляла 4 бита, а у DDR — 2 бита.
Модули DDR3 ориентированы на применение в системах с производительностью от 800 до 1600 миллионов операций передачи данных в секунду. При этом совокупный объем памяти чипов в монолитных и стекируемых корпусах будет составлять от 512 Мб до 8 Гб. В настоящее время JEDEC завершает публикацию документации ряда модулей памяти на базе DDR3, включая Registered DIMM (Dual Inline Memory Module), Unbuffered DIMM, SO (Small Outline) DIMM и другие типы модулей и конфигурации, предназначенные для настольных, мобильных и серверных систем, телекоммуникационного оборудования, кассовых терминалов и широкого спектра других электронных устройств.
PC World
Модули DDR3 ориентированы на применение в системах с производительностью от 800 до 1600 миллионов операций передачи данных в секунду. При этом совокупный объем памяти чипов в монолитных и стекируемых корпусах будет составлять от 512 Мб до 8 Гб. В настоящее время JEDEC завершает публикацию документации ряда модулей памяти на базе DDR3, включая Registered DIMM (Dual Inline Memory Module), Unbuffered DIMM, SO (Small Outline) DIMM и другие типы модулей и конфигурации, предназначенные для настольных, мобильных и серверных систем, телекоммуникационного оборудования, кассовых терминалов и широкого спектра других электронных устройств.
PC World
