Полупроводниковые чипы на основе инновационных технологий
Корпорация IBM представила новые технологии, предназначенные для коммуникационных устройств, систем хранения и мобильных решений, которые улучшат интеграцию в микросхемах беспроводных устройств, повысят производительность и снизят энергопотребление. Одним из новых продуктов стала высокопроизводительная специализированная интегральная микросхема IBM Cu-45 – коммерческая реализация технологии «кремний на изоляторе» (SOI), ранее применявшейся только в высокопроизводительных микропроцессорах – ориентированная на телекоммуникации, потребительскую электронику и другие важные сегменты рынка. Кроме того, микросхема Cu-45HP является первым примером коммерческого применения памяти типа eDRAM, в основе которой также лежит технология SOI.
Специализированная интегральная микросхема – это полупроводниковый чип, позволяющий заказчикам адаптировать свои продукты к самым разным областям применения, включая авиакосмическую отрасль, оборону, потребительскую электронику, сетевые устройства, мультимедийный сектор и т.д. Примером такой микросхемы является чип, позволяющий реализовать все функции сотового телефона.
Технология SOI – являющаяся неотъемлемым компонентом шестого поколения процессоров Power, которые применяются в серверных продуктах IBM, – способна до 30% повысить производительность по сравнению со ставшей отраслевым стандартом технологией комплементарных металло-оксидных полупроводников (КМОП).
Новая 45-нанометровая память IBM eDRAM на базе технологии SOI способна радикально повысить скорость процессорной памяти, занимая при этом примерно в три раза меньше места и потребляя в режиме покоя в пять раз меньше энергии, чем обычная память типа SRAM. Кроме того, были представлены три других цифровых и аналоговых полупроводниковых продукта IBM, ориентированных на применение в мобильных телефонах и других беспроводных устройствах. Они позволяют, помимо прочего, дополнительно повысить интеграцию на кристалле и улучшить тем самым такие показатели, как стоимость, производительность и плотность монтажа.
SiGe BiCMOS 5PAe – кремний-германиевый аналоговый чип на основе технологии through-silicon vias (соединения сквозь кремний), который позволит существенно сократить расходы компаниям, проектирующим усилители мощности для сотовых телефонов и различных беспроводных устройств.
CMOS 11LP – предложение, оптимизированное для проектировщиков устройств с низким током утечки. Включает производительную память SRAM с низким током утечки и две библиотеки стандартных схемных элементов, и построено на основе передовой технологии иммерсионной фотолитографии.
SiGe BiCMOS 6WL – оптимизированная версия существующей технологии IBM. Ориентирована на компании, нуждающихся в высокопроизводительных аналоговых схемах для массовых потребительских устройств, включая мобильные телефоны, беспроводные устройства и системы глобального позиционирования.
IBM
Специализированная интегральная микросхема – это полупроводниковый чип, позволяющий заказчикам адаптировать свои продукты к самым разным областям применения, включая авиакосмическую отрасль, оборону, потребительскую электронику, сетевые устройства, мультимедийный сектор и т.д. Примером такой микросхемы является чип, позволяющий реализовать все функции сотового телефона.
Технология SOI – являющаяся неотъемлемым компонентом шестого поколения процессоров Power, которые применяются в серверных продуктах IBM, – способна до 30% повысить производительность по сравнению со ставшей отраслевым стандартом технологией комплементарных металло-оксидных полупроводников (КМОП).
Новая 45-нанометровая память IBM eDRAM на базе технологии SOI способна радикально повысить скорость процессорной памяти, занимая при этом примерно в три раза меньше места и потребляя в режиме покоя в пять раз меньше энергии, чем обычная память типа SRAM. Кроме того, были представлены три других цифровых и аналоговых полупроводниковых продукта IBM, ориентированных на применение в мобильных телефонах и других беспроводных устройствах. Они позволяют, помимо прочего, дополнительно повысить интеграцию на кристалле и улучшить тем самым такие показатели, как стоимость, производительность и плотность монтажа.
SiGe BiCMOS 5PAe – кремний-германиевый аналоговый чип на основе технологии through-silicon vias (соединения сквозь кремний), который позволит существенно сократить расходы компаниям, проектирующим усилители мощности для сотовых телефонов и различных беспроводных устройств.
CMOS 11LP – предложение, оптимизированное для проектировщиков устройств с низким током утечки. Включает производительную память SRAM с низким током утечки и две библиотеки стандартных схемных элементов, и построено на основе передовой технологии иммерсионной фотолитографии.
SiGe BiCMOS 6WL – оптимизированная версия существующей технологии IBM. Ориентирована на компании, нуждающихся в высокопроизводительных аналоговых схемах для массовых потребительских устройств, включая мобильные телефоны, беспроводные устройства и системы глобального позиционирования.
IBM
