Начат выпуск опытных партий флэш-памяти NAND на базе MLC
Корпорации Intel и Micron Technology, Inc. объявили о том, что их совместное предприятие IM Flash Technologies приступило к выпуску опытных партий передовых многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND на основе 50-нанометровой производственной технологии. Размеры микросхемы и ячеек памяти в новых флэш-компонентах MLC NAND идеально подходят для использования в современных вычислительных и бытовых электронных устройствах.
Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями. Новые модули MLC NAND стали результатом продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.
Совместное предприятие IM Flash, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт. Вирджиния), с февраля приступило к производству продукции с использованием 300-миллиметровых подложек на своем заводе в г. Леи (шт. Юта). Кроме того, успешно реализуются планы по строительству нового производственного комплекса IM Flash в Сингапуре в соответствии с недавним заявлением о расширении деятельности предприятия в этой стране.
Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями. Новые модули MLC NAND стали результатом продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.
Совместное предприятие IM Flash, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт. Вирджиния), с февраля приступило к производству продукции с использованием 300-миллиметровых подложек на своем заводе в г. Леи (шт. Юта). Кроме того, успешно реализуются планы по строительству нового производственного комплекса IM Flash в Сингапуре в соответствии с недавним заявлением о расширении деятельности предприятия в этой стране.
