Intel модернизирует Fab 11X
Корпорация Intel объявила о намерении инвестировать от $1 до $1,5 миллиардов в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо. После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии Intel следующего поколения. В соответствии с существующим графиком перехода на передовой 45-нанометровый техпроцесс фабрика Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по новейшей технологии. Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей в Нью-Мексико намечен на вторую половину следующего года.
45-нанометровая производственная технология Intel подразумевает использование металлического затвора и диэлектриков high-k – такое сочетание новых материалов позволяет существенно снизить токи утечки и сократить время переключения транзисторов. Корпорация Intel начнет выпускать микросхемы по новой 45-нанометровой производственной технологии уже в этом году, используя новые диэлектрики high-k (с более высоким значением диэлектрической проницаемости) и новое сочетание металлов для изготовления электрода затвора.
Опытные образцы нового семейства продукции, изготовленной по 45-нанометровой технологии (под кодовым наименованием Penryn), уже работоспособны - на них успешно были запущены несколько различных операционных систем и приложений. Как и было запланировано ранее, корпорация Intel намерена начать массовый выпуск продукции на основе 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.
Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, шт. Аризона, обойдется в $3 миллиарда, ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено $3,5 миллиарда, открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.
Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Кроме того, эта фабрика также стала первым полностью автоматизированным крупносерийным производством Intel по выпуску 300-мм кремниевых подложек.
45-нанометровая производственная технология Intel подразумевает использование металлического затвора и диэлектриков high-k – такое сочетание новых материалов позволяет существенно снизить токи утечки и сократить время переключения транзисторов. Корпорация Intel начнет выпускать микросхемы по новой 45-нанометровой производственной технологии уже в этом году, используя новые диэлектрики high-k (с более высоким значением диэлектрической проницаемости) и новое сочетание металлов для изготовления электрода затвора.
Опытные образцы нового семейства продукции, изготовленной по 45-нанометровой технологии (под кодовым наименованием Penryn), уже работоспособны - на них успешно были запущены несколько различных операционных систем и приложений. Как и было запланировано ранее, корпорация Intel намерена начать массовый выпуск продукции на основе 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.
Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, шт. Аризона, обойдется в $3 миллиарда, ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено $3,5 миллиарда, открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.
Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Кроме того, эта фабрика также стала первым полностью автоматизированным крупносерийным производством Intel по выпуску 300-мм кремниевых подложек.
