Первые результаты использования иммерсионной литографии
На международной конференции по электронным устройствам IEDM (International Electron Devices Meeting) компании IBM и AMD представили результаты использования иммерсионной литографии, изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью и усовершенствованных технологий "напряженного кремния" для производства микропроцессоров нового поколения на основе 45-нанометрового технологического процесса. AMD и IBM планируют, что первая продукция на основе 45-нанометровой технологии с использованием иммерсионной литографии и изоляторов со сверхнизкой проницаемостью (Ultra Low-K) появится в середине 2008 года.
В современном технологическом процессе используется традиционная литография, имеющая существенные ограничения при переходе за пределы 65-нанометровой проектной нормы. В иммерсионной литографии пространство между линзами литографической системы и кремниевой подложкой, содержащей сотни микропроцессоров, заполняется прозрачной жидкостью, что позволяет повысить разрешающую способность при переносе изображения шаблона схемного решения. В результате улучшается производительность микросхем и повышается эффективность их производства. Благодаря иммерсионной литографии эффективность ячейки памяти SRAM повышается на 15% без применения дорогостоящего метода двукратного экспонирования.
Кроме того, использование изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью для уменьшения емкостного сопротивления и задержки распространения сигналов в проводных соединениях является важным шагом для дальнейшего повышения производительности процессоров и снижения рассеиваемой мощности. Это достижение стало возможным благодаря внедрению изолятора с низкой диэлектрической постоянной без ущерба для механической прочности микросхемы. Кроме того, использование изоляторов со сверхнизкой проницаемостью снижает задержку распространения сигналов в проводных соединениях на 15% по сравнению с обычными изоляторами с низкой проницаемостью.
Совместная работа AMD и IBM над совершенствованием технологии "напряженного кремния" позволила продолжить масштабирование производительности транзисторов и в то же время уменьшить геометрические размеры полупроводниковых компонентов при переходе на 45-нанометровый технологический процесс. Несмотря на повышение плотности компоновки транзисторов, изготовляемых по 45-нанометровой технологии, компании IBM и AMD добились увеличения на 80% управляющего тока в p-канальном транзисторе и на 25% в n-канальном транзисторе по сравнению с транзисторами, не использующими технологию "напряженного кремния".
В современном технологическом процессе используется традиционная литография, имеющая существенные ограничения при переходе за пределы 65-нанометровой проектной нормы. В иммерсионной литографии пространство между линзами литографической системы и кремниевой подложкой, содержащей сотни микропроцессоров, заполняется прозрачной жидкостью, что позволяет повысить разрешающую способность при переносе изображения шаблона схемного решения. В результате улучшается производительность микросхем и повышается эффективность их производства. Благодаря иммерсионной литографии эффективность ячейки памяти SRAM повышается на 15% без применения дорогостоящего метода двукратного экспонирования.
Кроме того, использование изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью для уменьшения емкостного сопротивления и задержки распространения сигналов в проводных соединениях является важным шагом для дальнейшего повышения производительности процессоров и снижения рассеиваемой мощности. Это достижение стало возможным благодаря внедрению изолятора с низкой диэлектрической постоянной без ущерба для механической прочности микросхемы. Кроме того, использование изоляторов со сверхнизкой проницаемостью снижает задержку распространения сигналов в проводных соединениях на 15% по сравнению с обычными изоляторами с низкой проницаемостью.
Совместная работа AMD и IBM над совершенствованием технологии "напряженного кремния" позволила продолжить масштабирование производительности транзисторов и в то же время уменьшить геометрические размеры полупроводниковых компонентов при переходе на 45-нанометровый технологический процесс. Несмотря на повышение плотности компоновки транзисторов, изготовляемых по 45-нанометровой технологии, компании IBM и AMD добились увеличения на 80% управляющего тока в p-канальном транзисторе и на 25% в n-канальном транзисторе по сравнению с транзисторами, не использующими технологию "напряженного кремния".
