Epson создает FeRAM нового поколения
Epson сообщает о новых успехах в области создания FeRAM (ferroelectric random access memory - сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти с произвольным доступом к ячейкам). FeRAM нового поколения обеспечивает в 10 раз больше циклов перезаписи по сравнению с устройствами предыдущего поколения. Epson разработала технологию следующего поколения для встроенных приложений и намеревается в ближайшем будущем начать серийное производство нового продукта.
Скорость новой FeRAM достаточно высока - цикл записи в 100 тысяч раз быстрее по сравнению с EEPROM, и она потребляет незначительное количество электроэнергии. Это позволит использовать FeRam не только в существующих на сегодняшний день приложениях с энергонезависимой памятью (например, в интегральных схемах и мобильных устройствах), но также заменить существующую полупроводниковую память в различных встроенных приложениях.
Разрабатывая технологию FeRAM, компания Epson ставила перед собой задачу начать коммерческое производство нового типа памяти и использовать новый материал, который называется PZTN. Этот материал Epson создавала путем замещения ниобием некоторых атомов титана в PZT (сплав свинца, цинка и титана). Благодаря использованию новых технологий компании удалось увеличить количество ниобия в PZTN в 20-30 раз. Созданные на его основе и при помощи 0,35-мкм CMOS-технологии, устройства FeRAM обладают увеличенным сроком службы.
Основные достоинства новой FeRAM:
· Большее количество циклов перезаписи, более длительный срок службы.
· Высокоскоростная энергонезависимая память. Обладая преимуществами энергонезависимой памяти, цикл записи FeRAM составляет 100 нс, что в 100 тысяч раз быстрее, чем EEPROM.
· Сверхмалое потребление энергии для использования в мобильных приложениях.
Технические характеристики новой FeRAM:
Производственный процесс 0.35 µm.
Источник энергии 3 В.
Многослойная структура: (прямой контакт электродов транзисторов и конденсаторов в ячейке памяти).
Максимальная прогнозируемая интеграция 512 Кбит.
Рабочий диапазон температур от -40°C до 85°C.
Время доступа 75 нс.
Время записи цикла 100 нс.
Рабочий ток 5 мА.
Ток при простое 1 мкА.
Скорость новой FeRAM достаточно высока - цикл записи в 100 тысяч раз быстрее по сравнению с EEPROM, и она потребляет незначительное количество электроэнергии. Это позволит использовать FeRam не только в существующих на сегодняшний день приложениях с энергонезависимой памятью (например, в интегральных схемах и мобильных устройствах), но также заменить существующую полупроводниковую память в различных встроенных приложениях.
Разрабатывая технологию FeRAM, компания Epson ставила перед собой задачу начать коммерческое производство нового типа памяти и использовать новый материал, который называется PZTN. Этот материал Epson создавала путем замещения ниобием некоторых атомов титана в PZT (сплав свинца, цинка и титана). Благодаря использованию новых технологий компании удалось увеличить количество ниобия в PZTN в 20-30 раз. Созданные на его основе и при помощи 0,35-мкм CMOS-технологии, устройства FeRAM обладают увеличенным сроком службы.
Основные достоинства новой FeRAM:
· Большее количество циклов перезаписи, более длительный срок службы.
· Высокоскоростная энергонезависимая память. Обладая преимуществами энергонезависимой памяти, цикл записи FeRAM составляет 100 нс, что в 100 тысяч раз быстрее, чем EEPROM.
· Сверхмалое потребление энергии для использования в мобильных приложениях.
Технические характеристики новой FeRAM:
Производственный процесс 0.35 µm.
Источник энергии 3 В.
Многослойная структура: (прямой контакт электродов транзисторов и конденсаторов в ячейке памяти).
Максимальная прогнозируемая интеграция 512 Кбит.
Рабочий диапазон температур от -40°C до 85°C.
Время доступа 75 нс.
Время записи цикла 100 нс.
Рабочий ток 5 мА.
Ток при простое 1 мкА.
