Развитие IM Flash Technologies идет с опережением графика
Корпорации Intel и Micron Technology Inc. объявили о том, что развитие их совместного предприятия IM Flash Technologies, занимающегося выпуском флэш-памяти класса NAND, идет с опережением графика. С момента создания IM Flash Technologies в январе этого года был введен в строй современный завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND с использованием 300-миллиметровых подложек в г. Манассас (шт. Вирджиния).
Ожидается, что в самом начале следующего года завод в г. Леи (шт. Юта) также сможет приступить к производству продукции на базе 300-миллиметровых подложек. В настоящее время флэш-память класса NAND для этого совместного предприятия производится и на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо). Кроме того, компании Intel и Micron в июле этого года представили первые в отрасли образцы модулей флэш-памяти класса NAND, изготовленных с использованием 50-нанометровой производственной технологии. В настоящее время обе компании выпускают опытные образцы 4-гигабитных модулей флэш-памяти, создаваемые на основе 50-нанометровой производственной технологии, и начиная со следующего года планируют наладить производство широкого ассортимента продукции, включая многоуровневые модули флэш-памяти класса NAND.
И вот сейчас Intel и Micron объявили о планах расширения деятельности своего совместного предприятия в Сингапуре, в результате реализации которых в этой стране будет построен четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND. Первые поставки продукции с конвейера сингапурской фабрики ожидаются во второй половине 2008 года, первоначально на ней планируется использовать 50-нанометровую производственную технологию и 300-миллиметровые подложки. Строительство нового завода в Сингапуре начнется в первой половине следующего года.
Ожидается, что в самом начале следующего года завод в г. Леи (шт. Юта) также сможет приступить к производству продукции на базе 300-миллиметровых подложек. В настоящее время флэш-память класса NAND для этого совместного предприятия производится и на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо). Кроме того, компании Intel и Micron в июле этого года представили первые в отрасли образцы модулей флэш-памяти класса NAND, изготовленных с использованием 50-нанометровой производственной технологии. В настоящее время обе компании выпускают опытные образцы 4-гигабитных модулей флэш-памяти, создаваемые на основе 50-нанометровой производственной технологии, и начиная со следующего года планируют наладить производство широкого ассортимента продукции, включая многоуровневые модули флэш-памяти класса NAND.
И вот сейчас Intel и Micron объявили о планах расширения деятельности своего совместного предприятия в Сингапуре, в результате реализации которых в этой стране будет построен четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND. Первые поставки продукции с конвейера сингапурской фабрики ожидаются во второй половине 2008 года, первоначально на ней планируется использовать 50-нанометровую производственную технологию и 300-миллиметровые подложки. Строительство нового завода в Сингапуре начнется в первой половине следующего года.
