Компания Samsung сообщила о лицензировании производителем полупроводников STMicroelectronics флэш-памяти OneNANDTM. Архитектура этой флэш-памяти основана на ядре NAND со статической памятью SRAM и логическими элементами, конкурирующими с интерфейсом NOR Flash. OneNAND обеспечивает непрерывную скорость чтения информации 108 Мб/с (в 4 раза выше флэш-памяти NAND) и скорость записи 10 Мб/с, что в 46 раз быстрее NOR Flash.
Это повышает эффективность работы во время загрузки или выполнения приложений на мобильных телефонах и долговременного кэша на ПК. В соответствии с соглашением, STMicroelectronics начнут поддержку данных флэш-карт с начала 2007 г.
