Samsung разработал модуль памяти нового типа
Корпорация Samsung сообщила о разработке модуля памяти, выпускаемая с применением норм 40-нм техпроцесса. Как отмечает производитель, данное решение, в настоящее время не имеет аналогов на мировом рынке.
Созданные NAND-флэш модули плотностью 32 Гбит могут быть использованы для создания карт памяти емкостью до 64 Гб, чего достаточно для хранения 64 часов видео в формате DVD высокого разрешения, либо 16 тыс. музыкальных композиций в формате MP3.
Создавался модуль с использованием архитектуры Charge Trap Flash (CTF), которая повышает скорость чипа за счет уменьшения негативного влияния внутреннего "шума" ячеек. Это стало возможным за счет применения структуры, которая состоит из tantalum metal, aluminum oxide, nitride, oxide и кремния.
Корпорация Samsung также анонсировала выпуск нового типа энергонезависимой памяти типа PRAM (Phase-change Random Access Memory). Прототип данного решения способен стать заменой модулей стандарта NOR flash высокой плотности уже в ближайшие годы. PRAM подразумевает экстремально высокую производительность и более простой выпуск конечной продукции, по сравнению с NOR flash. Более того, модули данного типа, обеспечивают возможность записи данных с пропуском этапа стирания предыдущей информации.
Последний факт означает увеличение быстродействие практически в 30 раз по сравнению с распространенными в настоящее время флэш-аналогами. Как отмечают разработчики, модули памяти PRAM начнут поступать в массовое производство в 2008 году, а первый прототип 512 Мб варианта уже был произведен на опытной линии корпорации Samsung в Сеуле.
Созданные NAND-флэш модули плотностью 32 Гбит могут быть использованы для создания карт памяти емкостью до 64 Гб, чего достаточно для хранения 64 часов видео в формате DVD высокого разрешения, либо 16 тыс. музыкальных композиций в формате MP3.
Создавался модуль с использованием архитектуры Charge Trap Flash (CTF), которая повышает скорость чипа за счет уменьшения негативного влияния внутреннего "шума" ячеек. Это стало возможным за счет применения структуры, которая состоит из tantalum metal, aluminum oxide, nitride, oxide и кремния.
Корпорация Samsung также анонсировала выпуск нового типа энергонезависимой памяти типа PRAM (Phase-change Random Access Memory). Прототип данного решения способен стать заменой модулей стандарта NOR flash высокой плотности уже в ближайшие годы. PRAM подразумевает экстремально высокую производительность и более простой выпуск конечной продукции, по сравнению с NOR flash. Более того, модули данного типа, обеспечивают возможность записи данных с пропуском этапа стирания предыдущей информации.
Последний факт означает увеличение быстродействие практически в 30 раз по сравнению с распространенными в настоящее время флэш-аналогами. Как отмечают разработчики, модули памяти PRAM начнут поступать в массовое производство в 2008 году, а первый прототип 512 Мб варианта уже был произведен на опытной линии корпорации Samsung в Сеуле.
