45-нм кремниевые чипы с низким энергопотреблением
Корпорация IBM и компании Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies и Samsung Electronics объявили о результатах совместной деятельности по созданию технологий для производства 45-нанометровых кремниевых чипов с низким энергопотреблением. В частности, были представлены первые реализованные в кремнии микросхемы и объявлено о готовности наборов средств проектирования.
Заблаговременное представление характеристик ключевых проектных элементов, уже воплощенных "в кремнии", а также проектировочных наборов является серьезным подспорьем для разработчиков при переходе к новому технологическому процессу, созданному совместными усилиями лидеров полупроводниковой отрасли. Наборы для разработчиков, в создании которых принимали участие специалисты всех четырех компаний, уже доступны некоторым заказчикам. Первые работающие чипы, изготовленные по 45-нм нормам, предназначены для систем связи следующего поколения.
Среди блоков, которые успешно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, а также встроенная память, разработанная специалистами альянса. Компания Infineon включила в первые 300-мм полупроводниковые пластины специальные схемы для отладки комплексных процессов и получения информации о взаимодействии компонентов архитектуры.
В наборах для разработчиков воплощен обобщенный опыт проектирования, накопленный специалистами всех четырех компаний. Эти наборы предназначены для упрощения перехода проектировщиков специализированных чипов к новому технологическому процессу, а также для стимулирования производства единой конструкции на нескольких производственных предприятиях с целью эффективного использования проектных наработок и обеспечения максимальной полезности для потребителей. Как ожидается, к концу 2007 г производство микросхем по 45-нм технологии с низким энергопотреблением на основе 300-мм подложек будет в полном масштабе развернуто на фабриках Chartered, IBM и Samsung.
Заблаговременное представление характеристик ключевых проектных элементов, уже воплощенных "в кремнии", а также проектировочных наборов является серьезным подспорьем для разработчиков при переходе к новому технологическому процессу, созданному совместными усилиями лидеров полупроводниковой отрасли. Наборы для разработчиков, в создании которых принимали участие специалисты всех четырех компаний, уже доступны некоторым заказчикам. Первые работающие чипы, изготовленные по 45-нм нормам, предназначены для систем связи следующего поколения.
Среди блоков, которые успешно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, а также встроенная память, разработанная специалистами альянса. Компания Infineon включила в первые 300-мм полупроводниковые пластины специальные схемы для отладки комплексных процессов и получения информации о взаимодействии компонентов архитектуры.
В наборах для разработчиков воплощен обобщенный опыт проектирования, накопленный специалистами всех четырех компаний. Эти наборы предназначены для упрощения перехода проектировщиков специализированных чипов к новому технологическому процессу, а также для стимулирования производства единой конструкции на нескольких производственных предприятиях с целью эффективного использования проектных наработок и обеспечения максимальной полезности для потребителей. Как ожидается, к концу 2007 г производство микросхем по 45-нм технологии с низким энергопотреблением на основе 300-мм подложек будет в полном масштабе развернуто на фабриках Chartered, IBM и Samsung.
