Samsung начал выпуск 1 Гбит модулей DDR2 по 80-нм техпроцессу
Корпорация Samsung Electronics анонсировала начало массового производства модулей памяти DDR2 емкостью 1 Гбит с применением норм 80-нм техпроцесса. Применение 80-нм техпроцесса позволило Samsung выпустить самый миниатюрный в мире на данный момент 1 Гбит чип DRAM, габаритные размеры которого составляют 11x11,5 мм, что на 36% меньше, чем у чипов выпускаемых по нормам 90-нм.
Большинство производимых в настоящее время 1 Гбит чипов используется в памяти для серверов: 4 Гб модулях DIMM с полной буферизацией и 2 Гб миниатюрных модулях SODIMM. По данным аналитической компании Gartner, объем мирового рынка DRAM в этом году составит $28,7 млрд и должен увеличиться до $37,8 млрд к 2008 году. На же долю 1 Гбит памяти пока приходится около 8% от общего объема, однако к 2008 году эта цифра возрастет до 36%.
Большинство производимых в настоящее время 1 Гбит чипов используется в памяти для серверов: 4 Гб модулях DIMM с полной буферизацией и 2 Гб миниатюрных модулях SODIMM. По данным аналитической компании Gartner, объем мирового рынка DRAM в этом году составит $28,7 млрд и должен увеличиться до $37,8 млрд к 2008 году. На же долю 1 Гбит памяти пока приходится около 8% от общего объема, однако к 2008 году эта цифра возрастет до 36%.
