SST и TSMC разработают 90нм флэш-память
Компании Silicon Storage Technology (SST) и Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) сообщили о достижении обоюдного согласия на то, чтобы совместными усилиями разработать технологию 90-нанометровой флэш-памяти, которая могла бы отвечать всем требованиям современных high-end телефонов и PDA. По словам директора бизнес-разработок SST Сэма Самбасивама (Sam Sambasivam), главной причиной разработки нового типа флэш-памяти стал прогнозируемый рост потребительского спроса на продукцию этого сегмента рынка.
Как отметил Самбасивам, по существу, на пользовательском рынке - особенно сотовых телефонов класса high-end - 90нм архитектура даст толчок к развитию высокоскоростной передачи данных (300 Mhz) в чипах. Самбасивам также дал понять, что 90-нанометровая флэш-память будет востребована рынком только через несколько лет. Главной причиной этого является то, что в настоящее время батареи, применяемые в большинстве сотовых и PDA, будут просто не готовы к обеспечению энергией 90нм архитектуры. Однако уже через несколько лет технология 90-нанометровой флэш-памяти может быть востребована не только в сотовых и PDA, но и в различных МР3 плеерах и автомобильных GPS-системах.
Как отметил Самбасивам, по существу, на пользовательском рынке - особенно сотовых телефонов класса high-end - 90нм архитектура даст толчок к развитию высокоскоростной передачи данных (300 Mhz) в чипах. Самбасивам также дал понять, что 90-нанометровая флэш-память будет востребована рынком только через несколько лет. Главной причиной этого является то, что в настоящее время батареи, применяемые в большинстве сотовых и PDA, будут просто не готовы к обеспечению энергией 90нм архитектуры. Однако уже через несколько лет технология 90-нанометровой флэш-памяти может быть востребована не только в сотовых и PDA, но и в различных МР3 плеерах и автомобильных GPS-системах.
