В США появится новый суперкомпьютерный центр
Корпорация IBM вместе с другими компаниями принимает участие в строительстве центра суперкомпьютеров при Ренселеровском политехническом институте (Rensselaer Polytechnic Institute, штат Нью-Йорк, США), который, как предполагается, займется разработкой новых полупроводников и передовых технологий. Вычислительный центр нанотехнологических инноваций, который планируется ввести в строй к концу текущего года, станет крупнейшим суперкомпьютерным центром университета и войдет в десятку крупнейших в мире. Бюджет строительства центра составит примерно $100 млн.
В проекте принимают участие еще две компании: Cadence, производитель инструментов для проектирования полупроводниковых приборов, и AMD. AMD, IBM и другие уже участвуют в строительстве исследовательского центра литографии в Олбани. (В 2003 году Гектор Руиз сказал, что штат Нью-Йорк - единственный регион в США, где активно развивают электронную индустрию.)
В Ренселеровском суперкомпьютерном центре ученые займутся проектированием транзисторов и других устройств размером всего в несколько нанометров, а также моделированием взаимодействия различных атомов и молекул. Сегодняшние микросхемы содержат элементы размером менее 65 нм, состоящие всего из нескольких атомов, а к 2015 году минимальный размер элементов чипа достигнет 22 нм.
В проекте принимают участие еще две компании: Cadence, производитель инструментов для проектирования полупроводниковых приборов, и AMD. AMD, IBM и другие уже участвуют в строительстве исследовательского центра литографии в Олбани. (В 2003 году Гектор Руиз сказал, что штат Нью-Йорк - единственный регион в США, где активно развивают электронную индустрию.)
В Ренселеровском суперкомпьютерном центре ученые займутся проектированием транзисторов и других устройств размером всего в несколько нанометров, а также моделированием взаимодействия различных атомов и молекул. Сегодняшние микросхемы содержат элементы размером менее 65 нм, состоящие всего из нескольких атомов, а к 2015 году минимальный размер элементов чипа достигнет 22 нм.
