Elpida Memory выпускает 512 Мбит модули XDR DRAM
Компания Elpida Memory анонсировала выпуск модулей памяти XDR DRAM объемом 512 Мбит, построенных с применением разработанного Rambus высокоэффективного интерфейса памяти XDR с малым временем ожидания. Представленные модули EDX5116ACSE отличаются увеличенным по сравнению с предыдущей серией быстродействием - тактовая частота составляет 4 ГГц, что обеспечивает пропускную способность в 8 Гб/с. При этом новинка ориентирована на применение в цифровой бытовой электронике, телевизорах высокого разрешения (HDTV), игровых консолях и домашних медиацентрах, которые предъявляют повышенные требования к пропускной способности памяти для поддержки 3D-графики, цифрового видео и мультимедийных функций.
EDX5116ACSE организованы как восемь 16-битных банков объемом 64 Мбит каждый (4M words x 16-bits x 8 banks). Микросхемы выполнены с использованием норм 90-нм техпроцесса и выпускаются в 104-контактных FBGA-корпусах. В новой памяти реализованы такие возможности Rambus-архитектуры, как Differential Rambus Signal Level (технология, позволяющая осуществлять передачу данных через множество каналов с очень низкой амплитудой) и Octal Data Rate (передача 8 бит за один такт). В настоящее время доступны опытные образцы EDX5116ACSE, серийное производство которых начнется уже уже в ближайшее время.
EDX5116ACSE организованы как восемь 16-битных банков объемом 64 Мбит каждый (4M words x 16-bits x 8 banks). Микросхемы выполнены с использованием норм 90-нм техпроцесса и выпускаются в 104-контактных FBGA-корпусах. В новой памяти реализованы такие возможности Rambus-архитектуры, как Differential Rambus Signal Level (технология, позволяющая осуществлять передачу данных через множество каналов с очень низкой амплитудой) и Octal Data Rate (передача 8 бит за один такт). В настоящее время доступны опытные образцы EDX5116ACSE, серийное производство которых начнется уже уже в ближайшее время.
