IBM, Sony и Toshiba расширяют рамки своего альянса
Корпорации IBM, Sony Corporation и Toshiba объявили о начале очередного пятилетнего этапа в деятельности образованного ими альянса в области полупроводниковых технологий. Одним из направлений деятельности альянса на этом этапе будет совместные фундаментальные исследования в области передовых технологических процессов с проектной нормой 32 нм и менее. Это поможет всем участникам альянса быстрее создавать, исследовать и доводить до коммерческого применения новые технологии для потребительского сектора и других областей.
За предшествующие пять лет Sony Corporation, Sony Computer Entertainment, Toshiba и IBM совместно разработали микропроцессор Cell и используемые для его производства технологические процессы "кремний на диэлектрике" (SOI) с проектными нормами 90 и 65 нм.
"Наш альянс имеет огромные возможности, - говорит Масаси Муромати, президент и главный исполнительный директор Toshiba Semiconductor Company. - Сочетание новейших технологических процессов и современных производственных мощностей Toshiba, разнообразных полупроводниковых технологий и глубокого знания потребительского рынка, которыми обладает Sony, и технологических достижений IBM в области полупроводниковых материалов позволяет нам ставить такие амбициозные цели, как реализация технологических процессов с проектной нормой 32 нм и менее".
Научно-исследовательская и опытно-конструкторская работа будет проводиться в исследовательском центре IBM им. Томаса Уотсона (Thomas J. Watson Research Center), расположенном в Йорктаун-Хайтс, штат Нью-Йорк, и в центре по исследованию полупроводниковых технологий (Center for Semiconductor Research) при центре нанотехнологий NanoTech в Олбани, а также на заводе по обработке 300-мм полупроводниковых пластин в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк).
За предшествующие пять лет Sony Corporation, Sony Computer Entertainment, Toshiba и IBM совместно разработали микропроцессор Cell и используемые для его производства технологические процессы "кремний на диэлектрике" (SOI) с проектными нормами 90 и 65 нм.
"Наш альянс имеет огромные возможности, - говорит Масаси Муромати, президент и главный исполнительный директор Toshiba Semiconductor Company. - Сочетание новейших технологических процессов и современных производственных мощностей Toshiba, разнообразных полупроводниковых технологий и глубокого знания потребительского рынка, которыми обладает Sony, и технологических достижений IBM в области полупроводниковых материалов позволяет нам ставить такие амбициозные цели, как реализация технологических процессов с проектной нормой 32 нм и менее".
Научно-исследовательская и опытно-конструкторская работа будет проводиться в исследовательском центре IBM им. Томаса Уотсона (Thomas J. Watson Research Center), расположенном в Йорктаун-Хайтс, штат Нью-Йорк, и в центре по исследованию полупроводниковых технологий (Center for Semiconductor Research) при центре нанотехнологий NanoTech в Олбани, а также на заводе по обработке 300-мм полупроводниковых пластин в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк).
