80 нм техпроцесс для 2 Гбит модулей DDR2 SDRAM
Компания Elpida Memory сообщила о выпуске модулей памяти DDR2 SDRAM плотностью 2 Гбит, выполенных с применением норм 80 нм техпроцесса. Как отметил производитель, данные образцы стали однмими из первых, появившихся на рынке, и ориентированы для применения в модулях памяти для высокопроизводительных серверов.
Новые модули памяти DDR2 SDRAM плотностью 2 Гбит, изготовленные с применением норм 80 нм техпроцесса доступны в трех вариантах исполнения, облаадющих своростью работы 533, 667 и 800 Мбит/с. Их напряжение питания составляет 1,8 В, а память оформлена в корпусах типа FBGA с 68 выводами, предназначенных для установки в модули DIMM (Dual In-line Memory Modules).
В настоящее время Elpida Memory предсоатвляет лишь опытные образцы новых модулей памяти, и рассчитывает запускать массоввое их производство по мере поступления заказов от своих партнеров.
Новые модули памяти DDR2 SDRAM плотностью 2 Гбит, изготовленные с применением норм 80 нм техпроцесса доступны в трех вариантах исполнения, облаадющих своростью работы 533, 667 и 800 Мбит/с. Их напряжение питания составляет 1,8 В, а память оформлена в корпусах типа FBGA с 68 выводами, предназначенных для установки в модули DIMM (Dual In-line Memory Modules).
В настоящее время Elpida Memory предсоатвляет лишь опытные образцы новых модулей памяти, и рассчитывает запускать массоввое их производство по мере поступления заказов от своих партнеров.
