Разработчик лазерных технологий в числе победителей Scientific American 50
Инженер-исследователь корпорации Intel Хайшенг Ронг (Haisheng Rong) стал одним из лауреатов ежегодного конкурса "Scientific American 50", который проводит журнал Scientific American. Таким образом одно из самых авторитетных американских изданий, освещающих события в науке и технике, отметило достижения Хайшенг Ронга в области разработки лазерных технологий на основе полупроводников.
Создание полупроводникового лазера постоянного действия - важное научное достижение, открывающее новые возможности для разработки оптических усилителей, лазеров, преобразователей длины волн, инновационных оптических устройств и других систем.
Награда "Scientific American 50" ежегодно присуждается 50 исследователям, коллективам ученых и инженеров, коммерческим компаниям и прочим организациям, добившимся наибольших успехов в развитии технологий. Хайшенг Ронг, старший исследователь из лаборатории Photonics Technology Lab корпорации Intel, получил награду в категории фотонных, электронных и полупроводниковых технологий за вклад в разработку полупроводникового лазера.
В феврале прошлого года в журнале Nature была опубликована статья, посвященная созданию первого полупроводникового лазера постоянного действия (ее написали сотрудники корпорации Intel Хайшенг Ронг, Ричард Джонс, Аншенг Лю, Одед Коэн, Дэни Хэк, Александр Фэнг и Марио Паниччиа). В основу этой инновационной системы, созданной с использованием производственных технологий CMOS корпорации Intel, был положен так называемый "эффект Рамана". В перспективе недорогой лазер, созданный исключительно на основе полупроводниковых материалов, сможет породить новую волну развития медицинских систем, сенсорных технологий и устройств спектроскопии. Вполне возможно, что в конечном итоге фотоэлектронные технологии помогут устранить ограничения пропускной способности коммуникационных систем и дальности передачи данных, что, в свою очередь, позволит создавать невероятно гибкие решения, способные обрабатывать данные эффективнее и быстрее.
Следует отметить, что журнал Scientific American уже второй год подряд награждает лабораторию Photonics Technology Lab корпорации Intel за разработку полупроводниковых фотонных устройств с использованием стандартных технологий CMOS.
Создание полупроводникового лазера постоянного действия - важное научное достижение, открывающее новые возможности для разработки оптических усилителей, лазеров, преобразователей длины волн, инновационных оптических устройств и других систем.
Награда "Scientific American 50" ежегодно присуждается 50 исследователям, коллективам ученых и инженеров, коммерческим компаниям и прочим организациям, добившимся наибольших успехов в развитии технологий. Хайшенг Ронг, старший исследователь из лаборатории Photonics Technology Lab корпорации Intel, получил награду в категории фотонных, электронных и полупроводниковых технологий за вклад в разработку полупроводникового лазера.
В феврале прошлого года в журнале Nature была опубликована статья, посвященная созданию первого полупроводникового лазера постоянного действия (ее написали сотрудники корпорации Intel Хайшенг Ронг, Ричард Джонс, Аншенг Лю, Одед Коэн, Дэни Хэк, Александр Фэнг и Марио Паниччиа). В основу этой инновационной системы, созданной с использованием производственных технологий CMOS корпорации Intel, был положен так называемый "эффект Рамана". В перспективе недорогой лазер, созданный исключительно на основе полупроводниковых материалов, сможет породить новую волну развития медицинских систем, сенсорных технологий и устройств спектроскопии. Вполне возможно, что в конечном итоге фотоэлектронные технологии помогут устранить ограничения пропускной способности коммуникационных систем и дальности передачи данных, что, в свою очередь, позволит создавать невероятно гибкие решения, способные обрабатывать данные эффективнее и быстрее.
Следует отметить, что журнал Scientific American уже второй год подряд награждает лабораторию Photonics Technology Lab корпорации Intel за разработку полупроводниковых фотонных устройств с использованием стандартных технологий CMOS.
