Чипы Samsung для смарт-карт с 2 Мб встроенной флэш-памяти
Samsung Electronics сообщила о создании интегральной схемы (ИС) для смарт-карт со встроенной флэш-памятью объемом 2 Мб (S3FJ91L). Новый чип для телефонных SIM-карт отвечает требованиям индустрии, предъявляемым к мультимедиа-телефонам для сетей 3G, обеспечивая увеличенную емкость памяти для хранения SMS, телефонных справочников, игр и интернет-сервисов, а также поддержание функции идентификации абонента.
Скорость и надежность идентификации пользователя в микросхеме S3FJ91L гарантируется защищенным 32-битным ядром ARM SC200 Secure Core, стандартом шифрования 3-DES и криптопроцессором PKI. Усиленная технология защиты от взлома снижает риск утечки персональной информации. Чип снабжен встроенным 16-килобитным статическим ПЗУ, дающим разработчикам программного обеспечения возможность легко осуществлять апгрейд встроенной микропрограммы и добавлять новые приложения. Кроме того, Java-ускоритель повышает скорость выполнения Java-приложений и облегчает внедрение решений на платформе Java.
S3FJ91L предъявляет весьма низкие требования к электропитанию, работая в широком интервале напряжения - от 1,62 до 5 В, что целиком отвечает требованиям стандарта GSM. Кроме того, процессы программирования и обновления данных осуществляются независимо, что повышает эффективность управления памятью.
Скорость и надежность идентификации пользователя в микросхеме S3FJ91L гарантируется защищенным 32-битным ядром ARM SC200 Secure Core, стандартом шифрования 3-DES и криптопроцессором PKI. Усиленная технология защиты от взлома снижает риск утечки персональной информации. Чип снабжен встроенным 16-килобитным статическим ПЗУ, дающим разработчикам программного обеспечения возможность легко осуществлять апгрейд встроенной микропрограммы и добавлять новые приложения. Кроме того, Java-ускоритель повышает скорость выполнения Java-приложений и облегчает внедрение решений на платформе Java.
S3FJ91L предъявляет весьма низкие требования к электропитанию, работая в широком интервале напряжения - от 1,62 до 5 В, что целиком отвечает требованиям стандарта GSM. Кроме того, процессы программирования и обновления данных осуществляются независимо, что повышает эффективность управления памятью.
