512 Мбит модуль DDR2 SDRAM от Samsung
Корпорация Samsung Electronics представила первый в мире 512 Мбит модуль памяти DDR2 SDRAM, выполненный с применением норм 70 нм техпроцесса. Новая 70 нм технология подобна 80 нм и 90 нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM, однако обеспечивает практически на 100% больший полезный выход чипов с одной пластины, по сравнению с ними.
Разработав в 2002 году субмикронный процесс производства DRAM, Samsung уже в следующем году представила его 80 нм версию, а представленная сейчас 70 нм технология знаменует новую индустриальную веху. Созданию нового 70 нм технологического процесса производства DRAM способствовал ряд фирменных инноваций, в том числе разработанная Samsung технология производства конденсаторов MIM (Metal-Insulator-Metal) и трехмерная архитектура транзисторов, известная как S-RACT (Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor). Эти достижения применяются для преодоления ограничений пакетных ячеек DRAM и радикального улучшения функции обновления данных, играющей критическую роль для 512 Мбит чипов памяти DRAM, произведенных по 70 нм технологии.
Начало серийного производства модулей памяти 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит с применением норм 70 нм техпроцесса запланировано на второе полугодие 2006 года.
Разработав в 2002 году субмикронный процесс производства DRAM, Samsung уже в следующем году представила его 80 нм версию, а представленная сейчас 70 нм технология знаменует новую индустриальную веху. Созданию нового 70 нм технологического процесса производства DRAM способствовал ряд фирменных инноваций, в том числе разработанная Samsung технология производства конденсаторов MIM (Metal-Insulator-Metal) и трехмерная архитектура транзисторов, известная как S-RACT (Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor). Эти достижения применяются для преодоления ограничений пакетных ячеек DRAM и радикального улучшения функции обновления данных, играющей критическую роль для 512 Мбит чипов памяти DRAM, произведенных по 70 нм технологии.
Начало серийного производства модулей памяти 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит с применением норм 70 нм техпроцесса запланировано на второе полугодие 2006 года.
