Модули флэш-памяти MirrorBit с рабочим напряжением 3 В
Spansion LLC представила новую линию модулей флэш-памяти для беспроводных телефонов - MirrorBit PL-N с рабочим напряжением 3 В. Новые модули емкостью 256 Мбит стали продолжателями популярной линии флэш-памяти с рабочим напряжением 1,8 В. Они позволяют разработчикам перейти с архитектуры с плавающим затвором на новаторскую технологию Spansion MirrorBit, позволяющую значительно снизить удельную стоимость модулей памяти за счет хранения двух битов информации в одной ячейке.
Модули PL-N в первую очередь рассчитаны на трехвольтные мобильные телефоны, нуждающиеся в высокоскоростной флэш-памяти. Они отличаются высокой скоростью доступа в режиме Page Mode и поддержкой одновременного чтения и записи. Емкости в 256 Мбит достаточно для хранения большого объема программного кода, необходимого для управления цифровыми камерами с высоким разрешением, просмотра видеоклипов, проигрывания файлов в формате MP3, работы с электронной почтой, выполнения приложений и игр на Java, а также многих других задач.
Характеристики и преимущества модулей флэш-памяти MirrorBit PL-N NOR Модули Spansion PL-N рассчитаны на напряжение 3 В и поддерживают все функции модулей Spansion с плавающим затвором. Емкость кристаллов составляет 128 и 256 Мбит, и кроме того, выпускаются многокристальные модули (MCP) емкостью 512 Мбит. Эти линии модулей полностью совместимы по физическому интерфейсу, что обеспечивает прозрачность перехода на технологию MirrorBit. Кроме того, компания Spansion бесплатно предоставляет ряд драйверов и техническую поддержку.
Модули MirrorBit PL-N работают в режиме Page Mode со скоростью доступа в 25 наносекунд (нс) и поддерживают фирменную технологию одновременного чтения и записи Spansion, позволяющую читать данные во время программирования или стирания информации. Модули MirrorBit PL-N снабжены Улучшенной системой защиты секторов Spansion, помогающей защитить беспроводные телефоны от вирусов и вредоносных атак.
Образцы модулей флэш-памяти MirrorBit PL емкостью 256 Мбит доступны уже сейчас, а начало массового выпуска запланировано на четвертый квартал.
Модули PL-N в первую очередь рассчитаны на трехвольтные мобильные телефоны, нуждающиеся в высокоскоростной флэш-памяти. Они отличаются высокой скоростью доступа в режиме Page Mode и поддержкой одновременного чтения и записи. Емкости в 256 Мбит достаточно для хранения большого объема программного кода, необходимого для управления цифровыми камерами с высоким разрешением, просмотра видеоклипов, проигрывания файлов в формате MP3, работы с электронной почтой, выполнения приложений и игр на Java, а также многих других задач.
Характеристики и преимущества модулей флэш-памяти MirrorBit PL-N NOR Модули Spansion PL-N рассчитаны на напряжение 3 В и поддерживают все функции модулей Spansion с плавающим затвором. Емкость кристаллов составляет 128 и 256 Мбит, и кроме того, выпускаются многокристальные модули (MCP) емкостью 512 Мбит. Эти линии модулей полностью совместимы по физическому интерфейсу, что обеспечивает прозрачность перехода на технологию MirrorBit. Кроме того, компания Spansion бесплатно предоставляет ряд драйверов и техническую поддержку.
Модули MirrorBit PL-N работают в режиме Page Mode со скоростью доступа в 25 наносекунд (нс) и поддерживают фирменную технологию одновременного чтения и записи Spansion, позволяющую читать данные во время программирования или стирания информации. Модули MirrorBit PL-N снабжены Улучшенной системой защиты секторов Spansion, помогающей защитить беспроводные телефоны от вирусов и вредоносных атак.
Образцы модулей флэш-памяти MirrorBit PL емкостью 256 Мбит доступны уже сейчас, а начало массового выпуска запланировано на четвертый квартал.
