Разработка флэш-памяти нового поколения
Spansion LLC и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company объявили о заключении соглашения, позволяющего начать массовое производство микросхем на основе 110-нанометровой технологии Spansion MirrorBit. По условиям соглашения TSMC предоставит производственные мощности для изготовления продукции Spansion - беспроводных устройств серий GL, PL и WS, а также интегрированных устройств серии GL на основе 110-нм технологии MirrorBit.
TSMC внедрит на своих предприятиях 110-нанометровый производственный процесс Spansion специально для изготовления продукции Spansion. Первоначально технология Spansion MirrorBit 110 нм будет применяться на 200-миллиметровых кремниевых пластинах. TSMC планирует освоить массовый выпуск ко второму кварталу 2006 г.
Уникальная технология Spansion MirrorBit позволяет хранить два бита данных в одной ячейке памяти, что приводит к удвоению физической плотности памяти. Технология MirrorBit позволяет упростить производство, что приводит к снижению издержек и повышению окупаемости. Ликвидируются как минимум 10% от общего количества шагов производственного процесса и 40% важнейших шагов производства, по сравнению с технологией MLC NOR.
Беспроводные устройства Spansion линии GL с напряжением питания 1,8 В и 3 В применяются для хранения данных и выполнения приложений в мобильных телефонах начального, среднего и высшего классов. Беспроводные устройства Spansion линии PL с напряжением питания 3 В применяются в многочисленных мобильных телефонах, начиная от самых простых моделей и заканчивая мощными многофункциональными телефонами с цветными дисплеями высокого разрешения.
Беспроводные устройства Spansion линии WS оптимизированы для мобильных телефонов высшего класса, поддерживающих полифонические мелодии, оснащенных цветными дисплеями и фотокамерами высокого разрешения, а также большим объемом внутренней памяти для хранения мультимедийной информации, видеоклипов и фотографий. В линию WS входят высокопроизводительные микросхемы на 1,8 В с пакетным доступом, поддержкой одновременного чтения и записи и улучшенной защитой секторов. Емкость этих устройств составляет от 64 до 256 Мбит; они могут применяться для хранения данных и выполнения приложений.
В устройствах Spansion линии GL-N большая емкость сочетается с высокой пропускной способностью и безопасностью. Они отлично подходят для нового поколения устройств домашней и автомобильной электроники, средств связи и сетевого оборудования, а также для мобильных устройств. В линии GL-N выпускаются 512-, 256- и 128-мегабитные модули, образующие единую платформу интеграции флэш-памяти в самых различных устройствах. Совместимость по программному обеспечению, посадочным местам и физическому интерфейсу позволяет сократить затраты на разработку и модернизацию продукции, поскольку для перехода на более емкие модули не нужно менять печатные платы и адаптировать программное обеспечение.
Сегодня массовый выпуск 256-мегабитных устройств линий WS и GL-N налажен на фабрике JV-3 в Айдзу-Вакамацу (Япония), а в будущем планируется начать их производство на фабриках TSMC.
TSMC внедрит на своих предприятиях 110-нанометровый производственный процесс Spansion специально для изготовления продукции Spansion. Первоначально технология Spansion MirrorBit 110 нм будет применяться на 200-миллиметровых кремниевых пластинах. TSMC планирует освоить массовый выпуск ко второму кварталу 2006 г.
Уникальная технология Spansion MirrorBit позволяет хранить два бита данных в одной ячейке памяти, что приводит к удвоению физической плотности памяти. Технология MirrorBit позволяет упростить производство, что приводит к снижению издержек и повышению окупаемости. Ликвидируются как минимум 10% от общего количества шагов производственного процесса и 40% важнейших шагов производства, по сравнению с технологией MLC NOR.
Беспроводные устройства Spansion линии GL с напряжением питания 1,8 В и 3 В применяются для хранения данных и выполнения приложений в мобильных телефонах начального, среднего и высшего классов. Беспроводные устройства Spansion линии PL с напряжением питания 3 В применяются в многочисленных мобильных телефонах, начиная от самых простых моделей и заканчивая мощными многофункциональными телефонами с цветными дисплеями высокого разрешения.
Беспроводные устройства Spansion линии WS оптимизированы для мобильных телефонов высшего класса, поддерживающих полифонические мелодии, оснащенных цветными дисплеями и фотокамерами высокого разрешения, а также большим объемом внутренней памяти для хранения мультимедийной информации, видеоклипов и фотографий. В линию WS входят высокопроизводительные микросхемы на 1,8 В с пакетным доступом, поддержкой одновременного чтения и записи и улучшенной защитой секторов. Емкость этих устройств составляет от 64 до 256 Мбит; они могут применяться для хранения данных и выполнения приложений.
В устройствах Spansion линии GL-N большая емкость сочетается с высокой пропускной способностью и безопасностью. Они отлично подходят для нового поколения устройств домашней и автомобильной электроники, средств связи и сетевого оборудования, а также для мобильных устройств. В линии GL-N выпускаются 512-, 256- и 128-мегабитные модули, образующие единую платформу интеграции флэш-памяти в самых различных устройствах. Совместимость по программному обеспечению, посадочным местам и физическому интерфейсу позволяет сократить затраты на разработку и модернизацию продукции, поскольку для перехода на более емкие модули не нужно менять печатные платы и адаптировать программное обеспечение.
Сегодня массовый выпуск 256-мегабитных устройств линий WS и GL-N налажен на фабрике JV-3 в Айдзу-Вакамацу (Япония), а в будущем планируется начать их производство на фабриках TSMC.
