Рекордно быстрая графическая память GDDR3 от Samsung
Корпорация Samsung Electronics сообщила о создании на базе 90-нм технологического процесса 512-мегабитных чипов графической памяти GDDR3 (Graphics Double Data Rate), имеющих быстродействие 2 Гбит/с на вывод.
Быстродействие 2 Гбит/с на вывод означает, что память работает на частоте 1 ГГц, и 32-разрядный чип, таким образом, обеспечивает пропускную способность 8 Гб/с, что на 70% быстрее по сравнению с распространенными 1,2 Гбит/с решениями. Видеоускорители со 128-разрядной шиной памяти, как нетрудно подсчитать, получают в свое распоряжение пропускную способность 32 Гб/с, а комбинирование шестнадцати 512-мегабитных чипов GDDR3 дает в сумме 1 Гб локальной видеопамяти. Память с такими характеристиками идеальна для наложения сложных текстур на трехмерные анимированные изображения высокого разрешения и адресована для применения в рабочих станциях класса high-end и игровых консолях следующего поколения.
Samsung также начал массовое производство и отгрузку партнерам 512-мегабитной графической памяти GDDR3 с быстродействием 1,6 Гбит/с на вывод, которая впервые была представлена в декабре 2004 года. Эти чипы выпускаются по 90-нанометровому техпроцессу, работают на частоте 800 МГц и обеспечивают пропускную способность 6,4 Гб/с. Чипы GDDR3 имеют стандартную (по версии JEDEC) 136-контактную FBGA-упаковку.
Стратегия диверсификации технологий и создания компанией Samsung продукции класса "премиум" во всех сегментах деятельности отражена в полностью укомплектованной линейке чипов графической памяти. С тех пор как в 2002 году были представлены первые 128-мегабитные чипы GDDR1/GDDR2 с быстродействием 1 Гбит/с, Samsung стал ведущим мировым поставщиком полного ассортимента GDDR-памяти.
Стоит также отметить, что исследовательская компания Mercury Research предсказывает рост мирового рынка графической памяти в 2005 году на 43% и, в общей сложности, до $1,5 млрд, а также увеличение этого показателя до $2 млрд в 2006 году.
Быстродействие 2 Гбит/с на вывод означает, что память работает на частоте 1 ГГц, и 32-разрядный чип, таким образом, обеспечивает пропускную способность 8 Гб/с, что на 70% быстрее по сравнению с распространенными 1,2 Гбит/с решениями. Видеоускорители со 128-разрядной шиной памяти, как нетрудно подсчитать, получают в свое распоряжение пропускную способность 32 Гб/с, а комбинирование шестнадцати 512-мегабитных чипов GDDR3 дает в сумме 1 Гб локальной видеопамяти. Память с такими характеристиками идеальна для наложения сложных текстур на трехмерные анимированные изображения высокого разрешения и адресована для применения в рабочих станциях класса high-end и игровых консолях следующего поколения.
Samsung также начал массовое производство и отгрузку партнерам 512-мегабитной графической памяти GDDR3 с быстродействием 1,6 Гбит/с на вывод, которая впервые была представлена в декабре 2004 года. Эти чипы выпускаются по 90-нанометровому техпроцессу, работают на частоте 800 МГц и обеспечивают пропускную способность 6,4 Гб/с. Чипы GDDR3 имеют стандартную (по версии JEDEC) 136-контактную FBGA-упаковку.
Стратегия диверсификации технологий и создания компанией Samsung продукции класса "премиум" во всех сегментах деятельности отражена в полностью укомплектованной линейке чипов графической памяти. С тех пор как в 2002 году были представлены первые 128-мегабитные чипы GDDR1/GDDR2 с быстродействием 1 Гбит/с, Samsung стал ведущим мировым поставщиком полного ассортимента GDDR-памяти.
Стоит также отметить, что исследовательская компания Mercury Research предсказывает рост мирового рынка графической памяти в 2005 году на 43% и, в общей сложности, до $1,5 млрд, а также увеличение этого показателя до $2 млрд в 2006 году.
