70-нм техпроцесс для 4 Гбит чипов NAND-флэш
Корпорация Samsung Electronics сообщила о начале массового выпуска чипов NAND флэш-памяти высокой емкости (4 Гбит) с применением нового 70-нм технологического процесса, который позволит предложить более емкие носители данных для бытовых и мобильных устройств по более приемлемой цене.
Samsung впервые представила кристаллы NAND флэш-памяти емкостью 4 Гбит в сентябре 2003 года. Следуя принятой модели роста емкости модулей памяти (двукратное увеличение емкости каждые 12 месяцев), представленной доктором Чанг Гю Хвангом, президентом и исполнительным директором Samsung Electronics Semiconductor, последовательно были представлены пять поколений NAND флэш-памяти: 256 Мбит в 1999 году, 512 Мбит в 2000-м, 1 Гбит в 2001-м, 2 Гбит в 2002-м, 4 Гбит в 2003-м и 8 Гбит в прошлом 2004 году.
Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти - площадью 0,025 мкм2. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи - 16 Мбайт/с, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.
Samsung впервые представила кристаллы NAND флэш-памяти емкостью 4 Гбит в сентябре 2003 года. Следуя принятой модели роста емкости модулей памяти (двукратное увеличение емкости каждые 12 месяцев), представленной доктором Чанг Гю Хвангом, президентом и исполнительным директором Samsung Electronics Semiconductor, последовательно были представлены пять поколений NAND флэш-памяти: 256 Мбит в 1999 году, 512 Мбит в 2000-м, 1 Гбит в 2001-м, 2 Гбит в 2002-м, 4 Гбит в 2003-м и 8 Гбит в прошлом 2004 году.
Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти - площадью 0,025 мкм2. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи - 16 Мбайт/с, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.
