4 Гбит чип OneNAND для мультимедийных устройств
Корпорация Samsung Electronics сообщила о создании чипа флэш-памяти OneNAND объемом 4 Гбит, предназначенного для использования в мультимедийных телефонах. Помимо высокой емкости он отличается ультракомпактными размерами, высокой производительностью и низким энергопотреблением.
Флэш-память типа OneNAND предлагается в качестве запоминающего устройства для сотовых телефонов третьего поколения, персональных цифровых устройств, портативных игровых систем нового поколения и высокопроизводительных цифровых фотоаппаратов. Новый чип OneNAND имеет напряжение питания 1,8 В, и по сравнению c памятью других типов, работающей при напряжении 3,3 В, его энергопотребление почти вдвое ниже. Размеры нового чипа - 11х13х1,4 мм - существенно меньше, чем у конкурирующих устройств мобильной памяти памяти той же емкости.
Новые микросхемы отличаются высокой скоростью чтения - 108 Мб/с, что в четыре раза выше, чем у обычной NAND-памяти, а также высокой скоростью записи - 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мегапиксельной камеры сотового телефона, или более 120 музыкальных файлов.
С технической точки зрения, 4-Гбит память OneNAND представляет собой четыре чипа памяти OneNAND объемом 1 Гбит каждый, собранные в четырехслойном пакете (Quad Die Package). Чипы производятся с использованием 90-нм техпроцесса, запущенного в производство в ноябре 2004 года. Массовое производство 4-гигабитной флэш-памяти OneNAND начнется уже в июле.
Флэш-память типа OneNAND предлагается в качестве запоминающего устройства для сотовых телефонов третьего поколения, персональных цифровых устройств, портативных игровых систем нового поколения и высокопроизводительных цифровых фотоаппаратов. Новый чип OneNAND имеет напряжение питания 1,8 В, и по сравнению c памятью других типов, работающей при напряжении 3,3 В, его энергопотребление почти вдвое ниже. Размеры нового чипа - 11х13х1,4 мм - существенно меньше, чем у конкурирующих устройств мобильной памяти памяти той же емкости.
Новые микросхемы отличаются высокой скоростью чтения - 108 Мб/с, что в четыре раза выше, чем у обычной NAND-памяти, а также высокой скоростью записи - 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мегапиксельной камеры сотового телефона, или более 120 музыкальных файлов.
С технической точки зрения, 4-Гбит память OneNAND представляет собой четыре чипа памяти OneNAND объемом 1 Гбит каждый, собранные в четырехслойном пакете (Quad Die Package). Чипы производятся с использованием 90-нм техпроцесса, запущенного в производство в ноябре 2004 года. Массовое производство 4-гигабитной флэш-памяти OneNAND начнется уже в июле.
