Elpida выпускает 800 Мбит/с 256-мегабитные модули DDR2

Компания Elpida Memory сообщила о выпуске первых в индустрии 256-мегабитных модулей памяти DDR2 SDRAM, способных повысить пропускную способность последних до уровня 800 Мбит/с. Данные полупроводниковые решения будут доступны в двух вариантах - EDE2508ABSE-GE-E 8 Мбит х 8 х 4 (60-контактный корпус FBGA) и EDE2516ABSE-GE-E 4 Мбит х 4 х 16 х 4 (84-контактный корпус FBGA). При выпуске 800 МГц DDR2 использован 0,1-мкм технологический процесс, напряжение питания составляет 1,85 В +/- 0,1 В. В ходе проведенной демонстрации были показаны образцы устройств, выпущенных в ограниченном количестве, а массовое их производство для коммерческой реализации планируется начать к маю текущего года.