Toshiba и SanDisk создали 8-Гбит модули памяти NAND Flash
Корпорации Toshiba и SanDisk в рамках Международной конференции по твердотельным микросхемам (International Solid State Circuits Conference, ISSCC) аноснировали совместный выпуск 8-Гбит модулей памяти NAND flash, произведенных с применением норм 70-нм техпроцесса, которые открывают новую эпоху решений данного рода, обладающих емкостью в 1-Гбит на отдельный чип.
Новые модули памяти NAND flash созданы с использованием технологии многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), позволяющей двум битам данных храниться в одной ячейке памяти, таки образом удваивая возможный объем памяти. Кроме того, применение иновационных решений по проектированию электрических цепей, позволило более эффективно использовать поверхность модуля, в результате чего 8 Гбит образец всего на 5% превосходит по габаритам предыдущее 4-Гбит решение, выполеное по 90-нм техпроцессу. Таким образом, созданный модуль обладая площадью в 146 мм2, имеет плотность размещения данных на уровне 6 млрд бит/см2 или 3 млрд транзисторов на см2.
Производительность новинок максимизирована за счет технологий повышения скорости записи цепей, поддерживаемый уровень которой составляет 6 Мб/с. В то жек время скоротсь чтения составляет 60 Мб/с, что на 40% быстрее аналогичного показателя решений предыдущего поколения.
Toshiba и SanDisk планируют начать производство продукции на осове новых 8-Гбит модулей памяти NAND flash уже летом нынешнего года. При этом компании отмечают, что выпуск подобных решений сможет сначительно снизить стоимость конечных продуктов на основе флэш-памяти. А уже после этого, оба производителя планируют коммерциализировать 16-Гбит решения, состоящие из двух модулей по 8-Гбит, объединенных в едином корпусе.
Новые модули памяти NAND flash созданы с использованием технологии многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), позволяющей двум битам данных храниться в одной ячейке памяти, таки образом удваивая возможный объем памяти. Кроме того, применение иновационных решений по проектированию электрических цепей, позволило более эффективно использовать поверхность модуля, в результате чего 8 Гбит образец всего на 5% превосходит по габаритам предыдущее 4-Гбит решение, выполеное по 90-нм техпроцессу. Таким образом, созданный модуль обладая площадью в 146 мм2, имеет плотность размещения данных на уровне 6 млрд бит/см2 или 3 млрд транзисторов на см2.
Производительность новинок максимизирована за счет технологий повышения скорости записи цепей, поддерживаемый уровень которой составляет 6 Мб/с. В то жек время скоротсь чтения составляет 60 Мб/с, что на 40% быстрее аналогичного показателя решений предыдущего поколения.
Toshiba и SanDisk планируют начать производство продукции на осове новых 8-Гбит модулей памяти NAND flash уже летом нынешнего года. При этом компании отмечают, что выпуск подобных решений сможет сначительно снизить стоимость конечных продуктов на основе флэш-памяти. А уже после этого, оба производителя планируют коммерциализировать 16-Гбит решения, состоящие из двух модулей по 8-Гбит, объединенных в едином корпусе.
