HP предложила альтернативу транзисторам
Исследователи из Quantum Science Research (QSR), подразделения компании Hewlett-Packard, продемонтсрировали разработанную ими технологию, способную в значительной степени изменить сложившиеся стереотипы о транзисторах, выступающих в качестве основополагающего элемента построения компьютерной техники.
Приведенные ими в журнале Journal of Applied Physics характиристики разработанного устройства, получившего название "crossbar latch", что можно перевсти как перекрестная защелка, указывают на то, что на свет пявилось решение, способное полноценно выполнять все функции транзистора, но при этом имеющее значительно более компактные размеры. Данная разработка появилась на свет после многих лет предрекания достижения технологического предела при производстве кремниевых пластин, плотность размещения транзисторов на которой, согласно закону Мура удваивается каждые два года. Поэтому уже сейчас можно утверждать, что в ближайшие годы индустрия может перейти на использование абсолютно нового типа полупроводниковых решений.
Созданная специалистами QSR технология подразумевает использование наномолекул для проведения электрического сигнала и создания элементов, способных выполнять основные логические операции, необходимые для компьютерных вычислений. Применяемые в ней перекрестные защелки состоят из двух проводников, а также молекулярных ключей которые используется для их замыкания, и располагаются в слое кислоты (размещенного между проводниками), состоящей из углерода, водорода и кислорода. При этом в зависимости от прикладываемого к этой своеобразной линии напряжения и от его полярности, происходит замыкание двух проводников молекулами, образуя различных комбинациях положений структуры, воспринимаемые как логические "0" и "1". Главное достоинство подобных молекулярных ключей заключается в том, что расстояние между проводниками может составлять всего 2 нм. Для сравнения, в современных транзисторах на 90-нм кремниевых пластинах эквивалентный переход имеет размер порядка 60 нм. Не менее важно и то, что чипы на основе поперечных защелок должны быть дешевы в производстве. Проводники размещаются посредством нового метода литографии - нанопечати, при котором заранее созданный штамп закрепляется на пленке, и оставленные им отпечатки становятся матрицами для изготовления проводников. В то же время сами молекулярные ключи не нужно размещать по отдельности в каждом из переходов между проводниками, ведь ток ток протекает только по проводникам над переходами.
Приведенные ими в журнале Journal of Applied Physics характиристики разработанного устройства, получившего название "crossbar latch", что можно перевсти как перекрестная защелка, указывают на то, что на свет пявилось решение, способное полноценно выполнять все функции транзистора, но при этом имеющее значительно более компактные размеры. Данная разработка появилась на свет после многих лет предрекания достижения технологического предела при производстве кремниевых пластин, плотность размещения транзисторов на которой, согласно закону Мура удваивается каждые два года. Поэтому уже сейчас можно утверждать, что в ближайшие годы индустрия может перейти на использование абсолютно нового типа полупроводниковых решений.
Созданная специалистами QSR технология подразумевает использование наномолекул для проведения электрического сигнала и создания элементов, способных выполнять основные логические операции, необходимые для компьютерных вычислений. Применяемые в ней перекрестные защелки состоят из двух проводников, а также молекулярных ключей которые используется для их замыкания, и располагаются в слое кислоты (размещенного между проводниками), состоящей из углерода, водорода и кислорода. При этом в зависимости от прикладываемого к этой своеобразной линии напряжения и от его полярности, происходит замыкание двух проводников молекулами, образуя различных комбинациях положений структуры, воспринимаемые как логические "0" и "1". Главное достоинство подобных молекулярных ключей заключается в том, что расстояние между проводниками может составлять всего 2 нм. Для сравнения, в современных транзисторах на 90-нм кремниевых пластинах эквивалентный переход имеет размер порядка 60 нм. Не менее важно и то, что чипы на основе поперечных защелок должны быть дешевы в производстве. Проводники размещаются посредством нового метода литографии - нанопечати, при котором заранее созданный штамп закрепляется на пленке, и оставленные им отпечатки становятся матрицами для изготовления проводников. В то же время сами молекулярные ключи не нужно размещать по отдельности в каждом из переходов между проводниками, ведь ток ток протекает только по проводникам над переходами.
