Самая маленькая энергонезависимая ячейка флэш-памяти
Компания Infineon Technologies AG сообщила о том, что ее разработчиками была создана самая маленькая в мире энергонезависимая ячейка флэш-памяти. Размеры созданной ими ячейки не превышают 20 нм, что практически в 5 тыс. раз тоньше человеческого волоса. А учитывая тот факт, что все необходимые мероприятия по налаживанию массового производства новинки, учитывая процессы литографии, вполне могут реализовываться на практике, то появление на рынке энергонезависимых модулей памяти емкостью в 32 Гбит может осуществиться уже в ближайшие несколько лет. А данный показатель в восемь раз превышает способности присуствующих в настоящее время на рынке аналогов.
Энергонезависимая флэш-память в последнее время становиться все более популярной благодаря широкому распространению цифровых камер, камкодеров, а также сменных USB-носителей, в которых она применяется. Наиболее производительные из них могут хранить один или два бита информации в каждой ячейке памяти без необходиомсти потребления электроэнергии.
Модобные модули памяти имеют размер элемента порядка 90 нм, уменьшение которого посредством применения существующих технологий более чем в два раза приводило к проявлению побочных физическим эфеектов наноструктур. В частности, изготовление модулей флэш-памяти с использованием 20 нм ячеек виделось невозможным из-за того, что при подобных размерах составляющих итоговый модуль памяти выходил бы сверх ненадежным.
Разработчики компании Infineon сумели обойти строгие рамки физических возможностей наноструктур благодаря созданию уникальной трехмерной структуры предусматривающей использование транзистора со стабилизатором который выступает в роли сердца ячейки памяти. Уникальная геометрия структуры минимизирует воздействие негативных эффектов и в значительной степени улучшает электростатический контроль над транзистором. Компонент, созданный Infineon, получил название FinFET (Fin Field Effect Transistor), и способен хранить электроны, переносящие информацию, в нитридном слое, который располагается электрически изолированным между управляющим электродом шириной в 20 нм и кремниевым стабилизатором, толщина которого, к слову, составляет всего 8 нм.
FinFET способен обеспечить не только высокую надежность работы, но и прекрасные электрические характеристики. Например, наиболее выдающиеся образцы флэш-памяти из присуствующих в настоящее время на рынке, нуждаются примерно в 1 тыс. электронах для надежного хранения 1 бита информации. Созданная же Infineon ячейка памяти использует для аналогичного действия лишь 100 электронов, а еще 100 электронов используются для хранения второго бита на том же транзисторе. Для сраснения можно отметить, что 100 - это примерное число электронов, располагающихся в одном атоме золота. И не смотря на столь низкие уровни заряда, опытные образцы ячеек памяти, созданные Infineon обладают превосходными электрическими характеристиками.
Энергонезависимая флэш-память в последнее время становиться все более популярной благодаря широкому распространению цифровых камер, камкодеров, а также сменных USB-носителей, в которых она применяется. Наиболее производительные из них могут хранить один или два бита информации в каждой ячейке памяти без необходиомсти потребления электроэнергии.
Модобные модули памяти имеют размер элемента порядка 90 нм, уменьшение которого посредством применения существующих технологий более чем в два раза приводило к проявлению побочных физическим эфеектов наноструктур. В частности, изготовление модулей флэш-памяти с использованием 20 нм ячеек виделось невозможным из-за того, что при подобных размерах составляющих итоговый модуль памяти выходил бы сверх ненадежным.
Разработчики компании Infineon сумели обойти строгие рамки физических возможностей наноструктур благодаря созданию уникальной трехмерной структуры предусматривающей использование транзистора со стабилизатором который выступает в роли сердца ячейки памяти. Уникальная геометрия структуры минимизирует воздействие негативных эффектов и в значительной степени улучшает электростатический контроль над транзистором. Компонент, созданный Infineon, получил название FinFET (Fin Field Effect Transistor), и способен хранить электроны, переносящие информацию, в нитридном слое, который располагается электрически изолированным между управляющим электродом шириной в 20 нм и кремниевым стабилизатором, толщина которого, к слову, составляет всего 8 нм.
FinFET способен обеспечить не только высокую надежность работы, но и прекрасные электрические характеристики. Например, наиболее выдающиеся образцы флэш-памяти из присуствующих в настоящее время на рынке, нуждаются примерно в 1 тыс. электронах для надежного хранения 1 бита информации. Созданная же Infineon ячейка памяти использует для аналогичного действия лишь 100 электронов, а еще 100 электронов используются для хранения второго бита на том же транзисторе. Для сраснения можно отметить, что 100 - это примерное число электронов, располагающихся в одном атоме золота. И не смотря на столь низкие уровни заряда, опытные образцы ячеек памяти, созданные Infineon обладают превосходными электрическими характеристиками.
