Samsung выпускает первые образцы 512 Мбит модулей GDDR3
Корпорация Samsung Electronics анонсировала начало поставок первых образцов 512 Мбит модулей памяти GDDR3, являющихся эволюционным продолжением семейства продуктов DDR, ориентированных в первую очередь на производителей видеокарт и игровых консолей. По данным производителя, новинки имеют практически вдвое большую плотность, по сравнеию с любой другой графической памятью, доступной в начтоящее время на рынке. Выпуск 512 Мбит GDDR3 памяти может способствовать увеличению производительность конечных решений, снижению их энергопотребления, а также увеличению эффективности использования доступного пространства на видеокартах, оснащенных 512 Мб памяти.
512 Мбит микросхемы GDDR3 Samsung являются первыми решениями данного класса, обеспечивающими пропускную способность до 1,6 Гбит/сек. Серийное производство этих 512 Мбит компонентов GDDR3 запланировано на начало следующего года. Samsung приступит к серийному выпуску 512 Мбит модулей с тактовой частотой 700, 600 и 500 МГц (пропускная способность 1400, 1200 и 1000 Мбит/с на контакт), обладающих 144-контактными FBGA-корпусами.
512 Мбит микросхемы GDDR3 Samsung являются первыми решениями данного класса, обеспечивающими пропускную способность до 1,6 Гбит/сек. Серийное производство этих 512 Мбит компонентов GDDR3 запланировано на начало следующего года. Samsung приступит к серийному выпуску 512 Мбит модулей с тактовой частотой 700, 600 и 500 МГц (пропускная способность 1400, 1200 и 1000 Мбит/с на контакт), обладающих 144-контактными FBGA-корпусами.
