Технология IBM для самонастройки микросхем
Корпорация IBM представила революционную технологию самонастройки полупроводниковых компонентов, которая создает основу для появления нового класса полупроводниковых устройств, способных без вмешательства человека контролировать и корректировать свою работу для повышения качества, эффективности и уменьшения энергопотребления.
Новая патентованная технология, получившая название eFUSE, основана на применении уникальных программных алгоритмов и встроенных в полупроводниковые компоненты микроскопических проводящих перемычек, которые позволяют компонентам предпринимать самостоятельные действия в ответ на изменения внешних условий и нагрузок.
Обнаружив в процессе работы, что компонент требует "подстройки", технология eFUSE способна изменить его конфигурацию и эффективность работы электронной схемы, увеличив производительность или исключив потенциальную неполадку. Ожидается, что подобная автономность изменит сам подход к проектированию, изготовлению и интеграции полупроводниковых компонентов для компьютеров, сотовых телефонов, бытовой электроники и других устройств.
Благодаря своей гибкости и способности к адаптации, технология eFUSE уже начинает находить применение в целом ряде приложений, в том числе в высокопроизводительных микропроцессорах на базе архитектуры IBM Power, включая процессоры POWER5 и другие процессоры для систем IBM eServer, а также в производимых IBM кремниево-германиевых (SiGe) компонентах с пониженным энергопотреблением. IBM также предоставляет технологию eFUSE заказчикам своих полупроводниковых производств.
Технология eFUSE не привязана к технологическому процессу, не требует применения новых материалов, оборудования или производственных процессов и уже внедрена в производство на заводах IBM по обработке 300-мм и 200-мм полупроводниковых пластин.
Новая патентованная технология, получившая название eFUSE, основана на применении уникальных программных алгоритмов и встроенных в полупроводниковые компоненты микроскопических проводящих перемычек, которые позволяют компонентам предпринимать самостоятельные действия в ответ на изменения внешних условий и нагрузок.
Обнаружив в процессе работы, что компонент требует "подстройки", технология eFUSE способна изменить его конфигурацию и эффективность работы электронной схемы, увеличив производительность или исключив потенциальную неполадку. Ожидается, что подобная автономность изменит сам подход к проектированию, изготовлению и интеграции полупроводниковых компонентов для компьютеров, сотовых телефонов, бытовой электроники и других устройств.
Благодаря своей гибкости и способности к адаптации, технология eFUSE уже начинает находить применение в целом ряде приложений, в том числе в высокопроизводительных микропроцессорах на базе архитектуры IBM Power, включая процессоры POWER5 и другие процессоры для систем IBM eServer, а также в производимых IBM кремниево-германиевых (SiGe) компонентах с пониженным энергопотреблением. IBM также предоставляет технологию eFUSE заказчикам своих полупроводниковых производств.
Технология eFUSE не привязана к технологическому процессу, не требует применения новых материалов, оборудования или производственных процессов и уже внедрена в производство на заводах IBM по обработке 300-мм и 200-мм полупроводниковых пластин.
