256 Мбит Mobile DRAM чипы Samsung с шиной x32
Корпорация Samsung Electronics анонсировала выпуск новых микросхем линейки Mobile DRAM — 256 Мбит DDR SDRAM чипов с шиной x32, предназначенных для применения в мобильных устройствах различного типа. На данный момент уже выпущены опытные образцы, а начало массового производства намечено на вторую половину 2004 года.
Новинка, выполняемая с соблюдением норм 0,10 мкм техпроцесса, пополнила серию решений Mobile Synchronous DRAM, представленной микросхемами типов SDR и DDR SDRAM плотностью от 64 до 512 Мбит. Скорость передачи данных новых микросхем составляет около 266 Мбит/с на контакт, а пропускная способность — до 1,064 Гб/с. Низкое энергопотребление микросхем позволяет использовать память не только в мобильных телефонах, но и в смартфонах, MP3-плейерах, а также в КПК.
Новинка, выполняемая с соблюдением норм 0,10 мкм техпроцесса, пополнила серию решений Mobile Synchronous DRAM, представленной микросхемами типов SDR и DDR SDRAM плотностью от 64 до 512 Мбит. Скорость передачи данных новых микросхем составляет около 266 Мбит/с на контакт, а пропускная способность — до 1,064 Гб/с. Низкое энергопотребление микросхем позволяет использовать память не только в мобильных телефонах, но и в смартфонах, MP3-плейерах, а также в КПК.
