SanDisk представляет 4 Гбит и 8 Гбит чипы NAND-флэш
Компания SanDisk сообщила о выпуске 4 Гбит чипов NAND-флэш-памяти, выполненных по технологии MLC, а также 8 Гбит (2x4 в одном корпусе) ее версию. 4 Гбит чипы NAND-флэш разработаны SanDisk совместно с Toshiba в рамках заключенного в 1999 году соглашения о сотрудничестве, а их производство осуществляется на фабрике Flash Vision Japan. Новинки производятся с применением 0,09 мкм техпроцесса, а их появление на рынке запланировано на 3 квартал 2004 года. Причем SanDisk намерена использовать их исключительно в качестве компонентов флэш-карт собственного производства и не собирается продавать как самостоятельный продукт.
Основные технические характеристики устройств: напряжение питания — от 2,7 до 3,6 В; время записи — 600 мкс/стр; время стирания — 2 мс/блок; время доступа — не более 50 мс (для первичного) — не менее 50 мс (для последовательного); корпус — 48-контактный TSOP (12x20x1,2).
Стоит также отметить, что подобные устройства уже выпускались ранее другими производителями. В частности, лидер данного сегмента рынка памяти корпорация Samsung Electronics представила 4 Гбит чипы NAND-флэш, выполненные по 70 нм техпроцессу, еще в конце сентября прошлого года.
Основные технические характеристики устройств: напряжение питания — от 2,7 до 3,6 В; время записи — 600 мкс/стр; время стирания — 2 мс/блок; время доступа — не более 50 мс (для первичного) — не менее 50 мс (для последовательного); корпус — 48-контактный TSOP (12x20x1,2).
Стоит также отметить, что подобные устройства уже выпускались ранее другими производителями. В частности, лидер данного сегмента рынка памяти корпорация Samsung Electronics представила 4 Гбит чипы NAND-флэш, выполненные по 70 нм техпроцессу, еще в конце сентября прошлого года.
