Toshiba увеличила плотность размещения компонентов микросхем
Toshiba сообщила о разработке новой технологии производства микросхем, с помощью которой становится возможным увеличивать на 50% количество компонентных слоев, помещаемых в стандартный многокристальный модуль (МСР). Технология МСР позволяет устанавливать несколько чипов один на другой и заключать их в один корпус. Стандартом в данном случае является МСР высотой 1,4 мм, и новая технология позволяет установить подобным образом до 9 чипов внутри одного многокристального модуля.
Toshiba уже начала производство образцов таких микросхем и планирует начать массовое производство в мае. Эти образцы содержат четыре типа памяти, разделенные тремя прокладками: один чип объемом 8 Мб типа SRAM (статический RAM), один чип 128 Мб SDRAM (синхронный DRAM), 3 чипа флэш-памяти по 128 Мб типа NOR и 1 чип памяти 128 Мб типа NAND.
Toshiba уже начала производство образцов таких микросхем и планирует начать массовое производство в мае. Эти образцы содержат четыре типа памяти, разделенные тремя прокладками: один чип объемом 8 Мб типа SRAM (статический RAM), один чип 128 Мб SDRAM (синхронный DRAM), 3 чипа флэш-памяти по 128 Мб типа NOR и 1 чип памяти 128 Мб типа NAND.
