Транзистор Intel с трехмерным затвором
Корпорация Intel объявила, что ее инженеры разработали новую технологию, которая поможет корпорации закрепить лидерство в области производства высокопроизводительных полупроводниковых компонентов с низким энергопотреблением. Проведенные в Intel исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу массового производства транзисторов с трехмерным затвором.
Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий. Технический отчет об этом исследовании был представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по технологии VLSI (2006 Symposium on VLSI Technology) в Гонолулу.
Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий. Технический отчет об этом исследовании был представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по технологии VLSI (2006 Symposium on VLSI Technology) в Гонолулу.
