Intel StrataFlash: устройства флэш-памяти с многоуровневыми ячейками
Корпорация Intel представила недорогие высокопроизводительные устройства флэш-памяти Intel StrataFlash, предназначенные для интегрированных решений в таких сегментах рынка, как бытовая электроника, промышленные системы и проводная связь.
Четвертое поколение флэш-памяти Intel с многоуровневыми ячейками нацелено на ОЕМ-компании, работающие в области интегрированных решений, которым требуется высокая производительность и компактность устройств флэш-памяти. Это сочетание необходимо для самых различных платформ, от цифровых камер и бытовой электроники до сетевых маршрутизаторов, коммутаторов и карманных ПК.
Разработанная корпорацией Intel в 1988 году флэш-память NOR представляет собой микросхему памяти с возможностью неоднократной перезаписи, сохраняющую информацию даже при отсутствии питания. Это делает ее идеальным решением для интегрированных систем, а также для сотовых телефонов и других мобильных устройств. Четвертое поколение технологии многоуровневых ячеек Intel позволяет хранить два бита информации в каждой ячейке памяти, благодаря чему уменьшается размер кристалла и увеличивается компактность устройства.
Новые устройства флэш-памяти Intel StrataFlash для интегрированных систем имеют емкость от 64 МБ до 1 ГБ, открывая разработчикам удобный путь обновления, устраняя необходимость повторного проектирования и обеспечивая максимальную экономию.
Разработчики интегрированных систем могут выбрать один из трех форм-факторов флэш-памяти, каждый из которых поставляется как в стандартном варианте, так и в варианте без содержания свинца. Кроме того, разработчики смогут воспользоваться преимуществом быстрого доступа, обеспечивающего высочайшую производительность приложений - первоначальное время доступа 85 нс и время передачи по шине 20 нс, а также разнообразными функциями защиты, обеспечивающими максимальную безопасность, и низким энергопотреблением, обеспечивающим длительное время автономной работы.
Поставки интегрированной памяти Intel StrataFlash емкостью 64-512 МБ начнутся во втором квартале 2005 г. в комплекте с бесплатным программным обеспечением, улучшающим управление данными и файлами. Память емкостью 1 ГБ будет выпущена во второй половине 2005 года.
Четвертое поколение флэш-памяти Intel с многоуровневыми ячейками нацелено на ОЕМ-компании, работающие в области интегрированных решений, которым требуется высокая производительность и компактность устройств флэш-памяти. Это сочетание необходимо для самых различных платформ, от цифровых камер и бытовой электроники до сетевых маршрутизаторов, коммутаторов и карманных ПК.
Разработанная корпорацией Intel в 1988 году флэш-память NOR представляет собой микросхему памяти с возможностью неоднократной перезаписи, сохраняющую информацию даже при отсутствии питания. Это делает ее идеальным решением для интегрированных систем, а также для сотовых телефонов и других мобильных устройств. Четвертое поколение технологии многоуровневых ячеек Intel позволяет хранить два бита информации в каждой ячейке памяти, благодаря чему уменьшается размер кристалла и увеличивается компактность устройства.
Новые устройства флэш-памяти Intel StrataFlash для интегрированных систем имеют емкость от 64 МБ до 1 ГБ, открывая разработчикам удобный путь обновления, устраняя необходимость повторного проектирования и обеспечивая максимальную экономию.
Разработчики интегрированных систем могут выбрать один из трех форм-факторов флэш-памяти, каждый из которых поставляется как в стандартном варианте, так и в варианте без содержания свинца. Кроме того, разработчики смогут воспользоваться преимуществом быстрого доступа, обеспечивающего высочайшую производительность приложений - первоначальное время доступа 85 нс и время передачи по шине 20 нс, а также разнообразными функциями защиты, обеспечивающими максимальную безопасность, и низким энергопотреблением, обеспечивающим длительное время автономной работы.
Поставки интегрированной памяти Intel StrataFlash емкостью 64-512 МБ начнутся во втором квартале 2005 г. в комплекте с бесплатным программным обеспечением, улучшающим управление данными и файлами. Память емкостью 1 ГБ будет выпущена во второй половине 2005 года.
